散热基板、功率半导体模块和功率转换器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410687438.5
申请日
2024-05-30
公开(公告)号
CN119812140A
公开(公告)日
2025-04-11
发明(设计)人
张敏晔
申请人
LX半导体科技有限公司
申请人地址
韩国大田广域市
IPC主分类号
H01L23/373
IPC分类号
H01L23/367
代理机构
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
刘久亮
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
散热基板、功率半导体模块和功率转换器 [P]. 
张敏晔 .
韩国专利 :CN119812141A ,2025-04-11
[2]
散热基板、功率半导体模块以及功率转换器 [P]. 
赵南泰 ;
李润泰 ;
津岛荣树 .
韩国专利 :CN120453244A ,2025-08-08
[3]
散热基板、功率半导体模块以及功率转换器 [P]. 
赵南泰 ;
李润泰 ;
津岛荣树 .
韩国专利 :CN120473445A ,2025-08-12
[4]
功率半导体模块和功率转换器 [P]. 
金德秀 ;
金泰龙 ;
李明虎 ;
金裕锡 .
韩国专利 :CN121079780A ,2025-12-05
[5]
用于功率半导体模块的散热基板和包括散热基板的转换器 [P]. 
赵南泰 ;
李明虎 ;
金德秀 .
韩国专利 :CN120784223A ,2025-10-14
[6]
功率半导体模块和包括该功率半导体模块的功率转换器 [P]. 
李仁焕 ;
金德秀 ;
金泰龙 .
韩国专利 :CN120184107A ,2025-06-20
[7]
陶瓷基板、散热基板和功率半导体模块 [P]. 
张敏晔 .
韩国专利 :CN119581440A ,2025-03-07
[8]
制造散热基板的方法和制造功率半导体模块的方法 [P]. 
张敏晔 .
韩国专利 :CN119812000A ,2025-04-11
[9]
散热基板的制造方法和功率半导体模块的制造方法 [P]. 
张敏晔 .
韩国专利 :CN119811999A ,2025-04-11
[10]
功率半导体器件和包括其的功率转换器以及功率半导体器件的制造方法 [P]. 
李祜仲 ;
姜男主 .
韩国专利 :CN120835595A ,2025-10-24