陶瓷基板、散热基板和功率半导体模块

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410686241.X
申请日
2024-05-30
公开(公告)号
CN119581440A
公开(公告)日
2025-03-07
发明(设计)人
张敏晔
申请人
LX半导体科技有限公司
申请人地址
韩国大田广域市
IPC主分类号
H01L23/373
IPC分类号
H01L23/367 H01L23/544
代理机构
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
李辉
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
散热基板、功率半导体模块和功率转换器 [P]. 
张敏晔 .
韩国专利 :CN119812141A ,2025-04-11
[2]
散热基板、功率半导体模块和功率转换器 [P]. 
张敏晔 .
韩国专利 :CN119812140A ,2025-04-11
[3]
制造散热基板的方法和制造功率半导体模块的方法 [P]. 
张敏晔 .
韩国专利 :CN119812000A ,2025-04-11
[4]
功率半导体模块及其散热基板 [P]. 
陈志良 .
中国专利 :CN117637621A ,2024-03-01
[5]
散热基板及功率半导体模块 [P]. 
王友强 ;
李亚君 ;
廖光朝 .
中国专利 :CN223638356U ,2025-12-05
[6]
散热基板、功率半导体模块以及功率转换器 [P]. 
赵南泰 ;
李润泰 ;
津岛荣树 .
韩国专利 :CN120453244A ,2025-08-08
[7]
散热基板、功率半导体模块以及功率转换器 [P]. 
赵南泰 ;
李润泰 ;
津岛荣树 .
韩国专利 :CN120473445A ,2025-08-12
[8]
用于功率半导体模块的散热基板和包括散热基板的转换器 [P]. 
赵南泰 ;
李明虎 ;
金德秀 .
韩国专利 :CN120784223A ,2025-10-14
[9]
散热基板的制造方法和功率半导体模块的制造方法 [P]. 
张敏晔 .
韩国专利 :CN119581327A ,2025-03-07
[10]
散热基板的制造方法和功率半导体模块的制造方法 [P]. 
张敏晔 .
韩国专利 :CN119811999A ,2025-04-11