微波等离子体化学气相沉积设备及改善镀膜质量的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510158492.5
申请日
2025-02-13
公开(公告)号
CN119640243A
公开(公告)日
2025-03-18
发明(设计)人
刘文科 李俊宏 胡宗义
申请人
成都沃特塞恩电子技术有限公司
申请人地址
610000 四川省成都市高新区益州大道中段1800号3栋3层301号
IPC主分类号
C23C16/511
IPC分类号
C23C16/27 C23C16/52 C23C16/458 H01J37/32
代理机构
北京卓恒知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11394
代理人
孔鹏
法律状态
公开
国省代码
江苏省 常州市
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共 50 条
[1]
微波等离子体化学气相沉积设备 [P]. 
刘文科 ;
李俊宏 ;
胡宗义 .
中国专利 :CN223705738U ,2025-12-23
[2]
一种微波等离子体化学气相沉积设备 [P]. 
黄春林 ;
刘文科 ;
冯智飞 ;
李俊宏 ;
季宇 .
中国专利 :CN114381718B ,2024-03-26
[3]
一种微波等离子体化学气相沉积设备 [P]. 
黄春林 ;
胡宗义 ;
刘文科 ;
吴丹 ;
李俊宏 .
中国专利 :CN220827462U ,2024-04-23
[4]
一种微波等离子体化学气相沉积设备 [P]. 
黄春林 ;
刘文科 ;
冯智飞 ;
李俊宏 ;
季宇 .
中国专利 :CN114381718A ,2022-04-22
[5]
微波等离子体化学气相沉积设备(MPCVD) [P]. 
张俊生 ;
胡常青 .
中国专利 :CN308664259S ,2024-05-31
[6]
一种微波等离子体化学气相沉积镀膜设备 [P]. 
冯建伟 .
中国专利 :CN217077786U ,2022-07-29
[7]
一种微波等离子体化学气相沉积镀膜设备 [P]. 
因福明 ;
沈杰 .
中国专利 :CN213803978U ,2021-07-27
[8]
微波等离子体化学气相沉积系统设备(MPCVD) [P]. 
李再强 .
中国专利 :CN308953106S ,2024-11-19
[9]
微波等离子体化学气相沉积装置 [P]. 
牛进毅 ;
苗岱 .
中国专利 :CN111910170B ,2025-01-14
[10]
微波等离子体化学气相沉积装置 [P]. 
牛进毅 ;
苗岱 .
中国专利 :CN111910170A ,2020-11-10