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一种半导体器件的制备方法及半导体器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311218591.5
申请日：
2023-09-20
公开(公告)号：
CN119698057A
公开(公告)日：
2025-03-25
发明(设计)人：
卢珂 柳会雄 李光煜
申请人：
上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请人地址：
201807 上海市嘉定区娄陆公路497号
IPC主分类号：
H10D84/03
IPC分类号：
H10D84/85
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
刘乐
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
上海市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-11 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/03申请日:20230920
2025-03-25 公开 公开
共 50 条
[1]
一种半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
崔卫刚 .
中国专利 :CN121126857A ,2025-12-12
[2]
半导体器件及半导体器件的制备方法 [P]. 
赵静 ;
张臣雄 .
中国专利 :CN108369946A ,2018-08-03
[3]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
于贝贝 ;
方潇功 ;
张俊龙 ;
项少华 ;
王琛 .
中国专利 :CN118335686A ,2024-07-12
[4]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
眭小超 ;
卢文力 ;
李乾伟 .
中国专利 :CN117790343A ,2024-03-29
[5]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
于贝贝 ;
方潇功 ;
张俊龙 ;
项少华 ;
王琛 .
中国专利 :CN118335686B ,2025-02-07
[6]
半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P]. 
吴恒 ;
卢浩然 ;
刘煜 ;
葛延栋 ;
王润声 ;
黎明 ;
黄如 .
中国专利 :CN118039565A ,2024-05-14
[7]
半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P]. 
吴恒 ;
褚衍邦 ;
卢浩然 ;
王润声 ;
黄如 .
中国专利 :CN119400751A ,2025-02-07
[8]
半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P]. 
吴恒 ;
李项 ;
卢浩然 ;
王润声 ;
黎明 ;
黄如 .
中国专利 :CN120916472A ,2025-11-07
[9]
半导体器件及半导体器件制备方法 [P]. 
王飞飞 ;
李健飞 ;
徐宝盈 ;
杨志政 .
中国专利 :CN120432382A ,2025-08-05
[10]
半导体器件制备方法及半导体器件 [P]. 
陈鹏飞 ;
李芹 ;
张旭 ;
林祐丞 .
中国专利 :CN120730765B ,2025-11-25
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