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半导体封装结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510152967.X
申请日：
2025-02-12
公开(公告)号：
CN119626913A
公开(公告)日：
2025-03-14
发明(设计)人：
杨程
申请人：
江苏长电科技股份有限公司
申请人地址：
214400 江苏省无锡市江阴市澄江镇长山路78号
IPC主分类号：
H01L21/48
IPC分类号：
H01L23/538
H01L21/60
代理机构：
杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260
代理人：
姚宇吉
法律状态：
专利权质押登记、变更及注销
国省代码：
江西省
赣州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-12-02 | 专利权质押登记、变更及注销 | 专利权质押登记IPC(主分类):H01L 21/48登记号:Y2025980051565登记日:20251117出质人:江苏长电科技股份有限公司质权人:华夏银行股份有限公司无锡分行发明名称:半导体封装结构及其形成方法申请日:20250212授权公告日:20250704 |
| 2025-03-14 | 公开 | 公开 |
| 2025-07-04 | 授权 | 授权 |
| 2025-04-01 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/48申请日:20250212 |