半导体封装及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210249511.8

申请日：

2012-07-18

公开(公告)号：

CN102891136B

公开(公告)日：

2013-01-23

发明(设计)人：

金泳龙金泰勋张喆容李种昊

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2500

IPC分类号：

H01L2516 H01L23488 H01L2331 H01L2160

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

李昕巍

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-23	授权	授权
2014-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581785034 IPC(主分类):H01L 25/00 专利申请号:2012102495118 申请日:20120718
2013-01-23	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体封装及其形成方法 [P].

朴辰遇 ;

李锡贤 .

中国专利 :CN103383927A ,2013-11-06

[2]

半导体封装及其形成方法 [P].

任允赫 ;

李忠善 ;

赵泰济 .

中国专利 :CN102573279A ,2012-07-11

[3]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

张晋强 .

中国专利 :CN120834106A ,2025-10-24

[4]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

许健 ;

艾迪·凯佑·维嘉雅 ;

普佳·瑞凡卓·戴许曼 ;

莫尼卡·巴提 .

中国专利 :CN110828320B ,2020-02-21

[5]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

应战 .

中国专利 :CN119694893A ,2025-03-25

[6]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

冯霞 ;

黄河 ;

刘煊杰 ;

张海芳 .

中国专利 :CN104617034B ,2015-05-13

[7]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

杨程 .

中国专利 :CN119626913B ,2025-07-04

[8]

半导体封装件及其形成方法 [P].

霍斯特·托伊斯 .

中国专利 :CN103311222A ,2013-09-18

[9]

半导体封装结构及其形成方法 [P].

季宏凯 .

中国专利 :CN118553688A ,2024-08-27

[10]

半导体封装件及其形成方法 [P].

刘重希 ;

李建勋 ;

吴俊毅 ;

侯皓程 ;

林鸿仁 ;

郑荣伟 ;

王宗鼎 ;

梁裕民 ;

邹立为 .

中国专利 :CN109585391A ,2019-04-05

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