半导体器件处理方法、系统及半导体器件处理设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411750752.X

申请日：

2024-12-02

公开(公告)号：

CN119230468B

公开(公告)日：

2025-03-14

发明(设计)人：

王海伟童永娟董文豪赵锋孙志超

申请人：

江苏京创先进电子科技有限公司

申请人地址：

215000 江苏省苏州市常熟市经济技术开发区海城路2号9幢

IPC主分类号：

H01L21/683

IPC分类号：

H01L21/67

代理机构：

南京艾普利德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32297

代理人：

顾祥安

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-31	公开	公开
2025-03-14	授权	授权
2025-01-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/683申请日:20241202

共 50 条

[1]

半导体器件处理方法、系统及半导体器件处理设备 [P].

王海伟 ;

童永娟 ;

董文豪 ;

赵锋 ;

孙志超 .

中国专利 :CN119230468A ,2024-12-31

[2]

半导体器件处理设备 [P].

孟宪宇 ;

吴宗祐 ;

林宗贤 .

中国专利 :CN209496824U ,2019-10-15

[3]

半导体器件处理设备及处理方法 [P].

范险林 ;

李义奇 ;

陈松超 ;

陈龙 ;

董智超 .

中国专利 :CN112908902A ,2021-06-04

[4]

半导体器件处理设备及处理方法 [P].

范险林 ;

李义奇 ;

陈松超 ;

陈龙 ;

董智超 .

中国专利 :CN112908902B ,2024-04-09

[5]

处理半导体器件的方法及半导体器件 [P].

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN103021853A ,2013-04-03

[6]

半导体器件的处理方法及半导体器件 [P].

文龙芳 .

中国专利 :CN118888436A ,2024-11-01

[7]

表面处理方法、半导体器件、半导体器件的制造方法以及处理设备 [P].

嵯峨幸一郎 .

中国专利 :CN100350565C ,2005-07-20

[8]

半导体基板处理方法及半导体器件 [P].

李济婷 .

中国专利 :CN114023642A ,2022-02-08

[9]

半导体基板处理方法及半导体器件 [P].

李济婷 .

中国专利 :CN114023642B ,2025-02-07

[10]

半导体器件处理 [P].

马凌 ;

A·阿马利 ;

S·基压瓦特 ;

A·默肯达尼 ;

D·何 ;

N·撒帕尔 ;

R·索迪 ;

K·斯普林 ;

D·金策 .

中国专利 :CN1695237A ,2005-11-09

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