一种提高LTCC器件可靠性的结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202323613478.5

申请日：

2023-12-28

公开(公告)号：

CN222673347U

公开(公告)日：

2025-03-25

发明(设计)人：

喻大鹏杨福波金方正张贤毅张杰

申请人：

贵阳顺络迅达电子有限公司

申请人地址：

550014 贵州省贵阳市白云区第二十六大道1656号顺络迅达工业园

IPC主分类号：

H01R13/02

IPC分类号：

代理机构：

贵阳中新专利商标事务所 52100

代理人：

刘思宁

法律状态：

授权

国省代码：

河北省保定市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-25	授权	授权

共 50 条

[1]

可提高GaN器件可靠性的器件结构 [P].

刘春利 .

中国专利 :CN211455693U ,2020-09-08

[2]

一种提高感性器件可靠性的装置 [P].

代大志 ;

叶萌 ;

蒋立昕 .

中国专利 :CN209388820U ,2019-09-13

[3]

一种提高功率器件芯片可靠性的外围结构 [P].

梁嘉进 ;

管浩 ;

伍震威 ;

单建安 .

中国专利 :CN223040481U ,2025-06-27

[4]

一种改善半导体器件可靠性的结构 [P].

蔡文必 ;

郭佳衢 ;

魏鸿基 .

中国专利 :CN211428157U ,2020-09-04

[5]

提高SONOS闪存器件可靠性的方法 [P].

林钢 .

中国专利 :CN102005415A ,2011-04-06

[6]

一种提高分立器件可靠性的连桥结构 [P].

谌容 ;

许海东 .

中国专利 :CN215731681U ,2022-02-01

[7]

提高大功率器件的可靠性焊接的封装结构 [P].

朱祝清 ;

蒋刘 ;

曹振羽 .

中国专利 :CN211267256U ,2020-08-14

[8]

一种提高感性器件可靠性的装置 [P].

代大志 ;

叶萌 ;

蒋立昕 .

中国专利 :CN109741908A ,2019-05-10

[9]

一种提高BGA封装器件可靠性的方法 [P].

王恒 ;

张静静 ;

张兵 .

中国专利 :CN120109029A ,2025-06-06

[10]

一种提高磁性器件可靠性的装置 [P].

李志科 ;

雷云波 ;

李学军 .

中国专利 :CN212967380U ,2021-04-13

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