一种提高功率器件芯片可靠性的外围结构

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专利类型
实用新型
申请号
CN202422147868.6
申请日
2024-09-03
公开(公告)号
CN223040481U
公开(公告)日
2025-06-27
发明(设计)人
梁嘉进 管浩 伍震威 单建安
申请人
安建科技有限公司
申请人地址
中国香港沙田科学园科技大道西16号16W大楼9楼912-913室
IPC主分类号
H10D64/20
IPC分类号
H01L23/00 H01L23/58
代理机构
深圳市千纳专利代理有限公司 44218
代理人
袁燕清
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种提高芯片可靠性的封装结构 [P]. 
张黎 ;
龙欣江 ;
赖志明 ;
陈栋 ;
陈锦辉 .
中国专利 :CN205122561U ,2016-03-30
[2]
高可靠性的功率器件 [P]. 
何洪运 ;
郝艳霞 ;
沈加勇 .
中国专利 :CN212750868U ,2021-03-19
[3]
高可靠性功率器件 [P]. 
何洪运 ;
郝艳霞 ;
刘玉龙 ;
沈加勇 .
中国专利 :CN208538826U ,2019-02-22
[4]
高可靠性功率器件 [P]. 
吴炆皜 ;
何洪运 ;
郝艳霞 .
中国专利 :CN215578511U ,2022-01-18
[5]
一种提高功率器件驱动可靠性的谐振辅助电路 [P]. 
马宝祥 ;
符红军 ;
吴帅 .
中国专利 :CN220421666U ,2024-01-30
[6]
一种提高LTCC器件可靠性的结构 [P]. 
喻大鹏 ;
杨福波 ;
金方正 ;
张贤毅 ;
张杰 .
中国专利 :CN222673347U ,2025-03-25
[7]
可提高GaN器件可靠性的器件结构 [P]. 
刘春利 .
中国专利 :CN211455693U ,2020-09-08
[8]
一种具有高可靠性封装结构的功率器件 [P]. 
汤佳铭 ;
毛先叶 ;
林雨晨 .
中国专利 :CN222051744U ,2024-11-22
[9]
一种高可靠性贴片功率器件 [P]. 
李科 ;
蔡少峰 .
中国专利 :CN207558782U ,2018-06-29
[10]
一种提高SiC芯片可靠性的封装结构 [P]. 
王丕龙 ;
王新强 ;
杨玉珍 .
中国专利 :CN220358080U ,2024-01-16