一种基于掺杂分布调控的掺杂氧化铪基铁电薄膜及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411830372.7

申请日：

2024-12-12

公开(公告)号：

CN119615117A

公开(公告)日：

2025-03-14

发明(设计)人：

刘鑫赵维栋何留宇王嘉伟成永红

申请人：

西安交通大学

申请人地址：

710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号

IPC主分类号：

C23C16/455

IPC分类号：

H10B51/30 H10B53/30 H10D30/60 H10N70/20 H10F30/00 C23C16/40 C23C16/56 C23C16/52 C23C16/50

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

高博

法律状态：

公开

国省代码：

陕西省西安市

引用

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共 50 条

[1]

一种共掺杂氧化铪基铁电薄膜及其制备方法 [P].

尹路 ;

赵影 ;

何思嘉 ;

谢小艳 .

中国专利 :CN118610198A ,2024-09-06

[2]

一种无电极约束退火的氧化铪基铁电薄膜及其制备方法和应用 [P].

刘鑫 ;

赵维栋 ;

王嘉伟 ;

成永红 .

中国专利 :CN119615118A ,2025-03-14

[3]

氧化铪基铁电薄膜和氧化铪基铁电薄膜制备方法 [P].

廖敏 ;

戴思维 ;

郇延伟 ;

刘晨 ;

曾斌建 ;

周益春 .

中国专利 :CN112151602A ,2020-12-29

[4]

一种氧化铪基铁电薄膜的掺杂改性方法 [P].

吴茂坤 ;

纪志罡 ;

叶盛 .

中国专利 :CN118984646A ,2024-11-19

[5]

铪基铁电薄膜及其制备方法和应用 [P].

张幸 ;

朱江波 ;

严朗 ;

陈基快 ;

张斌 ;

田逸君 ;

陶必林 ;

化鼎棋 .

中国专利 :CN120916448A ,2025-11-07

[6]

一种钇掺杂氧化铪基铁电薄膜材料及其制备方法与应用 [P].

毕磊 ;

粟怡杰 ;

秦俊 ;

邓龙江 .

中国专利 :CN112635670A ,2021-04-09

[7]

一种氧化铪基铁电薄膜及其制备方法 [P].

郑帅至 ;

彭朝 ;

曾斌建 ;

廖敏 ;

刘洲洋 .

中国专利 :CN118510285A ,2024-08-16

[8]

一种La掺杂氧化铪基铁电薄膜、电容器及其制备方法 [P].

吴迪 ;

卿明凯 ;

矫佩杰 .

中国专利 :CN119815842B ,2025-07-22

[9]

一种La掺杂氧化铪基铁电薄膜、电容器及其制备方法 [P].

吴迪 ;

卿明凯 ;

矫佩杰 .

中国专利 :CN119815842A ,2025-04-11

[10]

一种正交相氧化铪基铁电薄膜及其制备方法和应用 [P].

彭强祥 ;

王泽奇 ;

曾斌建 ;

廖敏 ;

杨琼 .

中国专利 :CN113668062A ,2021-11-19

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-14	公开	公开
2025-04-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/455申请日:20241212