铪基铁电薄膜及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511091335.3

申请日：

2025-08-05

公开(公告)号：

CN120916448A

公开(公告)日：

2025-11-07

发明(设计)人：

张幸朱江波严朗陈基快张斌田逸君陶必林化鼎棋

申请人：

中国人民解放军海军军医大学

申请人地址：

200433 上海市杨浦区翔殷路800号

IPC主分类号：

H10D1/68

IPC分类号：

H10D1/00 H10B53/30 C23C16/40 C23C16/455 C23C28/00 C01G27/00 H01G4/33 H01G4/002

代理机构：

西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223

代理人：

王静

法律状态：

公开

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-07	公开	公开
2025-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 1/68申请日:20250805

共 50 条

[1]

氧化铪基铁电薄膜和氧化铪基铁电薄膜制备方法 [P].

廖敏 ;

戴思维 ;

郇延伟 ;

刘晨 ;

曾斌建 ;

周益春 .

中国专利 :CN112151602A ,2020-12-29

[2]

一种铪基铁电薄膜、铁电电容器及其制备方法 [P].

陈祖煌 ;

周超 .

中国专利 :CN117896989A ,2024-04-16

[3]

一种正交相氧化铪基铁电薄膜及其制备方法和应用 [P].

彭强祥 ;

王泽奇 ;

曾斌建 ;

廖敏 ;

杨琼 .

中国专利 :CN113668062A ,2021-11-19

[4]

一种氧化铪基铁电薄膜及其制备方法 [P].

郑帅至 ;

彭朝 ;

曾斌建 ;

廖敏 ;

刘洲洋 .

中国专利 :CN118510285A ,2024-08-16

[5]

一种基于掺杂分布调控的掺杂氧化铪基铁电薄膜及其制备方法和应用 [P].

刘鑫 ;

赵维栋 ;

何留宇 ;

王嘉伟 ;

成永红 .

中国专利 :CN119615117A ,2025-03-14

[6]

一种氧化铪基铁电薄膜电容器及其制备方法 [P].

陆旭兵 ;

张岩 ;

帅文韬 .

中国专利 :CN114360929A ,2022-04-15

[7]

一种氧化铪基铁电薄膜电容器及其制备方法 [P].

陆旭兵 ;

张岩 ;

帅文韬 .

中国专利 :CN114360929B ,2024-06-04

[8]

铪基铁电三维存储器件及其制备方法和应用 [P].

张幸 ;

朱江波 ;

陈基快 ;

张斌 ;

严朗 ;

毛晶晶 ;

戴小宇 ;

陶必林 .

中国专利 :CN120786904A ,2025-10-14

[9]

一种无电极约束退火的氧化铪基铁电薄膜及其制备方法和应用 [P].

刘鑫 ;

赵维栋 ;

王嘉伟 ;

成永红 .

中国专利 :CN119615118A ,2025-03-14

[10]

一种氧化铪基铁电电容器、铁电薄膜晶体管及其制备方法 [P].

陆旭兵 ;

屈丹丹 ;

陶瑞强 ;

吴吉洋 .

中国专利 :CN120456569A ,2025-08-08

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