学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

一种氧化物晶体管的表面处理方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411756199.0
申请日：
2024-12-03
公开(公告)号：
CN119653802A
公开(公告)日：
2025-03-18
发明(设计)人：
韩德栋 史建兵 解靖烨 王沁园 许登钦 张鸣鹤 张兴 刘力锋 王漪
申请人：
北京超弦存储器研究院 北京大学
申请人地址：
102600 北京市大兴区经济技术开发区科创十街18号院11号楼四层401室
IPC主分类号：
H10D30/01
IPC分类号：
H10D30/67 H01L21/02
代理机构：
北京惟专知识产权代理事务所(普通合伙) 16074
代理人：
赵星
法律状态：
公开
国省代码：
北京市 市辖区
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-18 公开 公开
2025-04-04 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20241203
共 50 条
[1]
一种面向集成电路应用的氧化物晶体管的制备方法 [P]. 
韩德栋 ;
解靖烨 ;
王沁园 ;
易庭甄 ;
许登钦 ;
张兴 ;
刘力锋 ;
王漪 .
中国专利 :CN117672866A ,2024-03-08
[2]
一种氧化物晶体管的制备方法 [P]. 
韩德栋 ;
易庭甄 ;
解靖烨 ;
许登钦 ;
张鸣鹤 ;
张兴 ;
刘力锋 ;
王漪 .
中国专利 :CN117410185A ,2024-01-16
[3]
一种铟锌氧化物晶体管的工艺制作方法 [P]. 
韩德栋 ;
熊龙海 ;
解靖烨 ;
史建兵 ;
许登钦 ;
张鸣鹤 ;
张兴 ;
刘力锋 .
中国专利 :CN117766404A ,2024-03-26
[4]
一种调控氧化物晶体管载流子浓度的补偿方法 [P]. 
董俊辰 ;
师新如 ;
孙传林 ;
赵凯 ;
赵钰迪 ;
李振松 .
中国专利 :CN120529605A ,2025-08-22
[5]
氧化物半导体晶体管 [P]. 
李光熙 ;
金尚昱 ;
许镇盛 .
中国专利 :CN113690315A ,2021-11-23
[6]
氧化物半导体晶体管 [P]. 
刘玉成 ;
蔡世星 ;
袁波 .
中国专利 :CN203859117U ,2014-10-01
[7]
一种氧化物薄膜晶体管栅极及其制备、氧化物薄膜晶体管 [P]. 
宁洪龙 ;
卢宽宽 ;
彭俊彪 ;
姚日晖 ;
胡诗犇 ;
魏靖林 ;
邓宇熹 ;
邓培淼 ;
周尚雄 ;
袁炜健 .
中国专利 :CN108288643A ,2018-07-17
[8]
氧化物半导体薄膜晶体管 [P]. 
岛田干夫 .
中国专利 :CN101884110A ,2010-11-10
[9]
氧化物薄膜晶体管的制备方法 [P]. 
姚琪 ;
张锋 ;
曹占锋 ;
何晓龙 ;
张斌 ;
李正亮 .
中国专利 :CN105140131A ,2015-12-09
[10]
一种基于二次后退火工艺制备氧化物晶体管的方法及其应用 [P]. 
张兴 ;
解靖烨 ;
王沁园 ;
韩德栋 ;
王漪 .
中国专利 :CN120545184A ,2025-08-26
12345