一种铟锌氧化物晶体管的工艺制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311789520.0

申请日：

2023-12-22

公开(公告)号：

CN117766404A

公开(公告)日：

2024-03-26

发明(设计)人：

韩德栋熊龙海解靖烨史建兵许登钦张鸣鹤张兴刘力锋

申请人：

北京超弦存储器研究院北京大学

申请人地址：

100176 北京市通州区北京经济技术开发区科创十街18号京东贝科技园11栋4楼

IPC主分类号：

H01L21/34

IPC分类号：

H01L29/786 H01L29/417

代理机构：

北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360

代理人：

贾晓玲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/34申请日:20231222
2024-03-26	公开	公开

共 50 条

[1]

一种氧化物晶体管的制备方法 [P].

韩德栋 ;

易庭甄 ;

解靖烨 ;

许登钦 ;

张鸣鹤 ;

张兴 ;

刘力锋 ;

王漪 .

中国专利 :CN117410185A ,2024-01-16

[2]

铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制作方法 [P].

李松杉 .

中国专利 :CN107293493A ,2017-10-24

[3]

铟镓锌氧化物薄膜的制作方法、薄膜晶体管和显示面板 [P].

夏玉明 ;

卓恩宗 .

中国专利 :CN110438472A ,2019-11-12

[4]

一种氧化物晶体管的表面处理方法 [P].

韩德栋 ;

史建兵 ;

解靖烨 ;

王沁园 ;

许登钦 ;

张鸣鹤 ;

张兴 ;

刘力锋 ;

王漪 .

中国专利 :CN119653802A ,2025-03-18

[5]

锌铟锡氧化物基薄膜晶体管及其制作方法 [P].

李然 ;

张希清 ;

苏金宝 ;

戴仕千 ;

麻尧斌 ;

田龙杰 ;

王琪 ;

王晔 .

中国专利 :CN108258055A ,2018-07-06

[6]

铪铟锌氧化物靶材的制作方法 [P].

信恩龙 ;

李喜峰 ;

张建华 .

中国专利 :CN102864423A ,2013-01-09

[7]

一种氧化物薄膜晶体管的制作方法及氧化物薄膜晶体管 [P].

李风浪 ;

李舒歆 .

中国专利 :CN106384748A ,2017-02-08

[8]

一种铟镓锌氧化物薄膜晶体管器件的制备方法 [P].

冯金波 ;

邱慧 ;

郑在纹 ;

竹文坤 ;

何嵘 ;

李宸 ;

任俨 ;

林丹 ;

杨帆 ;

乐昊飏 .

中国专利 :CN112420519B ,2021-02-26

[9]

具有铟镓锌氧化物的双晶体管增益单元存储器 [P].

茂树冨嶋 .

中国专利 :CN114664829A ,2022-06-24

[10]

铟镓锌氧化物薄膜的前驱液及铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备方法 [P].

孙荷静 ;

邱恒达 ;

周航 .

中国专利 :CN112018191A ,2020-12-01

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