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一种硅碳负极材料及其制备方法与应用

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411977293.9
申请日：
2024-12-31
公开(公告)号：
CN119864394A
公开(公告)日：
2025-04-22
发明(设计)人：
瞿国兴 吴冰琪 王清平 姚昕怡 王国鑫 崔立奖
申请人：
南昌大学
申请人地址：
330000 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
IPC主分类号：
H01M4/36
IPC分类号：
H01M4/38 H01M4/62 H01M10/0525
代理机构：
北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246
代理人：
丁华
法律状态：
公开
国省代码：
江西省 南昌市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-22 公开 公开
2025-05-09 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01M 4/36申请日:20241231
共 50 条
[21]
一种硅碳负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
衣冉 ;
周旭春 .
中国专利 :CN120637420A ,2025-09-12
[22]
一种硅碳负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
张丝雨 ;
董文芊 ;
高焕新 ;
孙赛 ;
张同宝 .
中国专利 :CN115377405A ,2022-11-22
[23]
一种硅碳负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
康少冉 ;
陶刚义 ;
毕明锋 ;
闫鹏 ;
陈斌 ;
黄初 ;
杨林涛 ;
黎鹏 ;
刘月颖 ;
刘世民 ;
曾强 .
中国专利 :CN119092677A ,2024-12-06
[24]
一种硅碳负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
杨志南 ;
况永波 ;
何海勇 .
中国专利 :CN119833591A ,2025-04-15
[25]
一种长循环硅碳负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
王文松 ;
杨亚宏 ;
张大鹏 ;
王远玲 ;
刘书剑 ;
姚佳岐 ;
杨静 ;
邓佳蕾 .
中国专利 :CN119725506A ,2025-03-28
[26]
一种长循环硅碳负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
王文松 ;
杨亚宏 ;
张大鹏 ;
王远玲 ;
刘书剑 ;
姚佳岐 ;
杨静 ;
邓佳蕾 .
中国专利 :CN119725506B ,2025-05-23
[27]
一种硅碳负极材料及其制备方法 [P]. 
宋志涛 ;
李昭进 ;
杜梦娇 ;
胡志林 ;
王波 ;
袁飞 ;
张迪 ;
王秋君 .
中国专利 :CN114388807A ,2022-04-22
[28]
一种硅碳负极材料及其制备方法 [P]. 
姜福阳 ;
万文文 ;
王辉 ;
张辰 .
中国专利 :CN119275257A ,2025-01-07
[29]
一种硅碳负极材料及其制备方法 [P]. 
姜福阳 ;
万文文 ;
王辉 ;
张辰 .
中国专利 :CN119275257B ,2025-10-31
[30]
一种硅碳负极材料及其制备方法 [P]. 
刘文静 ;
彭工厂 ;
王昊 ;
谢正伟 .
中国专利 :CN116072855B ,2025-06-17
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