一种原子级非晶态金属硫族化合物薄膜及其制备和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411985288.2

申请日：

2024-12-31

公开(公告)号：

CN119753590A

公开(公告)日：

2025-04-04

发明(设计)人：

何勇民石祖德

申请人：

湖南大学

申请人地址：

410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路麓山门

IPC主分类号：

C23C14/30

IPC分类号：

C23C14/16 C23C14/18 C23C14/54 C23C14/58 C23C14/06 C23C16/06 C23C16/44 C23C16/56 C23C16/30 C23C16/52 H10D64/62

代理机构：

兰州中科华西专利代理有限公司 62002

代理人：

曹向东

法律状态：

公开

国省代码：

湖南省长沙市

引用

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共 50 条

[1]

一种异质外延的单晶金属硫族化合物薄膜及其制备和应用 [P].

何勇民 ;

郭萃 .

中国专利 :CN119753844A ,2025-04-04

[2]

掺杂型过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法和应用 [P].

刘碧录 ;

赖泳爵 ;

蔡正阳 .

中国专利 :CN113201723B ,2021-08-03

[3]

一种过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法和用途 [P].

谢黎明 ;

赵朝阳 ;

王新胜 ;

周芮 .

中国专利 :CN109824098A ,2019-05-31

[4]

一种碱金属离子插层过渡金属硫族化合物及其制备方法和应用 [P].

黄庆 ;

高琳 ;

李勉 .

中国专利 :CN116621218B ,2025-10-10

[5]

非晶钴镍基硫族化合物薄膜及其制备方法和应用 [P].

蒋青松 ;

陈俊文 ;

杨潇 ;

张宇林 ;

季仁东 ;

于银山 ;

杨子莹 .

中国专利 :CN109023464A ,2018-12-18

[6]

一种过渡金属硫族化合物薄层材料及其制备方法和应用 [P].

成会明 ;

蔡正阳 ;

赖泳爵 ;

刘碧录 .

中国专利 :CN110257800B ,2019-09-20

[7]

一种过渡金属硫族化合物薄层材料及其制备方法和应用 [P].

刘碧录 ;

吴沁柯 ;

农慧雨 ;

唐磊 ;

成会明 .

中国专利 :CN114855144A ,2022-08-05

[8]

金属硫族化合物单晶薄膜及其制备方法 [P].

刘开辉 ;

刘灿 ;

秦彪 .

中国专利 :CN118223130A ,2024-06-21

[9]

一种过渡金属硫族化合物及其制备方法和应用 [P].

孙永福 ;

徐嘉麒 ;

谢毅 .

中国专利 :CN108569678A ,2018-09-25

[10]

一种多孔层状过渡金属硫族化合物及其制备方法和应用 [P].

王程 ;

徐伟明 ;

郑慧琳 ;

章鹏飞 ;

沈鸿云 ;

李小玲 .

中国专利 :CN111530480B ,2020-08-14

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-04	公开	公开
2025-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/30申请日:20241231