一种异质外延的单晶金属硫族化合物薄膜及其制备和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510035836.3

申请日：

2025-01-09

公开(公告)号：

CN119753844A

公开(公告)日：

2025-04-04

发明(设计)人：

何勇民郭萃

申请人：

湖南大学

申请人地址：

410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路麓山门

IPC主分类号：

C30B29/46

IPC分类号：

C30B29/64 C30B25/18 C23C14/30 C23C14/18 C23C14/16 C30B25/16

代理机构：

兰州中科华西专利代理有限公司 62002

代理人：

曹向东

法律状态：

公开

国省代码：

湖南省长沙市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-04	公开	公开
2025-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/46申请日:20250109

共 50 条

[1]

掺杂型过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法和应用 [P].

刘碧录 ;

赖泳爵 ;

蔡正阳 .

中国专利 :CN113201723B ,2021-08-03

[2]

金属硫族化合物单晶薄膜及其制备方法 [P].

刘开辉 ;

刘灿 ;

秦彪 .

中国专利 :CN118223130A ,2024-06-21

[3]

一种原子级非晶态金属硫族化合物薄膜及其制备和应用 [P].

何勇民 ;

石祖德 .

中国专利 :CN119753590A ,2025-04-04

[4]

一种制备双层过渡金属硫族化合物异质结单晶薄膜的方法 [P].

徐小志 ;

陈俊汀 .

中国专利 :CN117512556B ,2025-10-21

[5]

一种制备双层过渡金属硫族化合物异质结单晶薄膜的方法 [P].

徐小志 ;

陈俊汀 .

中国专利 :CN117512556A ,2024-02-06

[6]

一种过渡金属硫族化合物单晶薄膜的制备方法及装置 [P].

王欣然 ;

李涛涛 ;

沈昊亮 ;

施毅 .

中国专利 :CN115710749B ,2025-03-25

[7]

一种过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法和用途 [P].

谢黎明 ;

赵朝阳 ;

王新胜 ;

周芮 .

中国专利 :CN109824098A ,2019-05-31

[8]

过渡金属硫族化合物单晶及其制备方法 [P].

时玉萌 .

中国专利 :CN113249793B ,2021-08-13

[9]

一种碱金属离子插层过渡金属硫族化合物及其制备方法和应用 [P].

黄庆 ;

高琳 ;

李勉 .

中国专利 :CN116621218B ,2025-10-10

[10]

一种过渡金属硫族化合物薄层材料及其制备方法和应用 [P].

成会明 ;

蔡正阳 ;

赖泳爵 ;

刘碧录 .

中国专利 :CN110257800B ,2019-09-20

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