一种用于氮化铝陶瓷粗抛CMP抛光液及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411967469.2

申请日：

2024-12-30

公开(公告)号：

CN119752326A

公开(公告)日：

2025-04-04

发明(设计)人：

孙蕊蕊罗浩宁姜霁涛何慧龄火雅茹牛娟娟王海成高宇柱

申请人：

甘肃金阳高科技材料有限公司

申请人地址：

730100 甘肃省兰州市榆中县和平镇和平开发区工贸街

IPC主分类号：

C09G1/02

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-04	公开	公开
2025-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C09G 1/02申请日:20241230

共 50 条

[1]

一种氮化铝陶瓷基板用抛光液及其制备方法 [P].

齐荣 ;

吴月英 .

中国专利 :CN120025741A ,2025-05-23

[2]

一种氮化铝陶瓷基板用抛光液及其制备方法 [P].

齐荣 ;

吴月英 .

中国专利 :CN119736019A ,2025-04-01

[3]

用于氮化铝陶瓷抛光的抛光液及其制备方法 [P].

李军 ;

于旭东 .

中国专利 :CN118580772A ,2024-09-03

[4]

一种用于钛合金精抛的CMP抛光液及其制备方法 [P].

王海成 ;

罗浩宁 ;

姜霁涛 ;

高宇柱 ;

牛娟娟 ;

火雅茹 ;

孙蕊蕊 .

中国专利 :CN120192712A ,2025-06-24

[5]

一种氮化铝陶瓷基板用抛光液及其制备方法和抛光方法 [P].

苑亚斐 ;

成淼 ;

李雪梅 .

中国专利 :CN112521866A ,2021-03-19

[6]

用于氮化铝陶瓷抛光的抛光液及其制备方法 [P].

于旭东 ;

李军 ;

尹涛 ;

张海龙 ;

丁帅 .

中国专利 :CN121064737A ,2025-12-05

[7]

一种碳化硅衬底粗抛用氧化铝抛光液及其制备方法 [P].

陈森军 ;

许亚杰 ;

张瑞敏 .

中国专利 :CN118909551A ,2024-11-08

[8]

一种CMP抛光液的制备方法 [P].

王乐军 ;

李琳琳 ;

宋士佳 ;

刘桂勇 ;

彭东阳 ;

姜宏 .

中国专利 :CN108017998A ,2018-05-11

[9]

一种抛光液及其制备方法 [P].

周群飞 ;

李强 .

中国专利 :CN109251681A ,2019-01-22

[10]

一种碳化硅CMP精抛抛光液及其制备方法 [P].

高尚 ;

董志刚 ;

宋鑫 ;

邹逸然 ;

康仁科 .

中国专利 :CN120173514A ,2025-06-20

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