一种晶圆级二维材料的洁净转移方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310603143.0

申请日：

2023-05-25

公开(公告)号：

CN116621167B

公开(公告)日：

2025-04-15

发明(设计)人：

张永娜姜浩李占成石彪史浩飞

申请人：

中国科学院重庆绿色智能技术研究院重庆大学

申请人地址：

400714 重庆市北碚区方正大道266号

IPC主分类号：

C01B32/194

IPC分类号：

C01B32/184 B82Y40/00

代理机构：

北京同恒源知识产权代理有限公司 11275

代理人：

廖曦

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-15	授权	授权

共 50 条

[1]

一种晶圆级二维材料的洁净转移方法 [P].

张永娜 ;

姜浩 ;

黄德萍 ;

李占成 ;

史浩飞 .

中国专利 :CN112265985B ,2021-01-26

[2]

一种二维材料或二维异质结构的洁净转移方法 [P].

王浩敏 ;

姜程鑫 ;

张愉 ;

冯宇 ;

刘晨曦 .

中国专利 :CN120835593A ,2025-10-24

[3]

一种晶圆级二维材料的转移方法及器件制备方法 [P].

张亚东 ;

刘战峰 ;

吴振华 ;

殷华湘 .

中国专利 :CN113035781B ,2021-06-25

[4]

一种用于制备晶圆级二维材料阵列的方法 [P].

刘利伟 ;

蔡正刚 ;

薛思惟 ;

许宁生 ;

周鹏 .

中国专利 :CN117382321B ,2025-12-02

[5]

一种用于制备晶圆级二维材料阵列的方法 [P].

刘利伟 ;

蔡正刚 ;

薛思惟 ;

许宁生 ;

周鹏 .

中国专利 :CN117382321A ,2024-01-12

[6]

一种快速无损清洁转移晶圆级二维材料及构筑器件的方法 [P].

李立强 ;

王文婷 ;

何劲博 ;

黄忆男 ;

苑力倩 .

中国专利 :CN120711762A ,2025-09-26

[7]

一种快速无损清洁转移晶圆级二维材料的方法及器件构筑方法 [P].

李立强 ;

王文婷 ;

何劲博 ;

黄忆男 ;

苑力倩 .

中国专利 :CN119993896A ,2025-05-13

[8]

洁净无损的二维半导体材料转移方法 [P].

刁裕博 ;

李虎 .

中国专利 :CN119663434A ,2025-03-21

[9]

一种晶圆级二维材料生长方法 [P].

朱颢 ;

顾正豪 ;

陈琳 ;

孙清清 .

中国专利 :CN113774356A ,2021-12-10

[10]

一种超洁净转移二维材料的方法 [P].

李淑惠 ;

刘海俊 .

中国专利 :CN120864562A ,2025-10-31

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