一种在SiO<sub>2</sub>/Si上制备出局部相嵌于SiO<sub>2</sub>/Si内部的PdTe<sub>2</sub>量子点方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411886530.0
申请日
2024-12-20
公开(公告)号
CN119710586A
公开(公告)日
2025-03-28
发明(设计)人
柯少颖 刘滨 徐晓佳 李志明
申请人
闽南师范大学
申请人地址
363000 福建省漳州市芗城区县前直街36号
IPC主分类号
C23C14/35
IPC分类号
C23C14/16 C23C14/18 C23C14/54 C23C14/58
代理机构
福州元创专利商标代理有限公司 35100
代理人
丘鸿超;蔡学俊
法律状态
实质审查的生效
国省代码
福建省 漳州市
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共 50 条
[21]
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