一种雪崩测试电路及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510105974.4

申请日：

2025-01-23

公开(公告)号：

CN119780654A

公开(公告)日：

2025-04-08

发明(设计)人：

李俊辉颜荨胡绍国廖光朝

申请人：

重庆云潼科技有限公司

申请人地址：

401122 重庆市江北区鱼嘴镇永和路39号6层608室

IPC主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

G01R1/28

代理机构：

北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463

代理人：

王晓菲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

重庆市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01R 31/26申请日:20250123
2025-04-08	公开	公开

共 50 条

[1]

一种MOSFET雪崩测试电路 [P].

杨炜光 .

中国专利 :CN110412443A ,2019-11-05

[2]

一种雪崩耐量测试电路及测试设备 [P].

黄勇意 ;

黄辉 ;

傅俊寅 .

中国专利 :CN220323466U ,2024-01-09

[3]

一种功率器件的雪崩能量测试电路及测试方法 [P].

辛振 ;

连豪 ;

康建龙 ;

焦超群 ;

明磊 .

中国专利 :CN119199446A ,2024-12-27

[4]

一种测试电路 [P].

李东声 .

中国专利 :CN108459218B ,2018-08-28

[5]

单脉冲雪崩击穿能量测试方法及测试电路 [P].

钟志鸿 ;

武鹏辟 ;

王珏 .

中国专利 :CN116106715B ,2025-05-23

[6]

一种能双向测试的雪崩测试电路 [P].

周鹏 ;

陈跃俊 ;

郝瑞庭 .

中国专利 :CN206331079U ,2017-07-14

[7]

一种测试电路及测试方法 [P].

孙成思 ;

何瀚 ;

王灿 ;

罗浩 .

中国专利 :CN118841061A ,2024-10-25

[8]

雪崩耐量测试电路 [P].

杨炜光 .

中国专利 :CN108828422A ,2018-11-16

[9]

电抗器热测试电路及热测试方法 [P].

徐良宵 ;

张志斌 .

中国专利 :CN114646407B ,2022-06-21

[10]

一种测试电路及其测试方法、测试系统 [P].

高弘玮 ;

张国庆 ;

杨红霞 ;

赵普查 ;

白晓鹏 ;

赵科 ;

贾智慧 ;

宗岩 ;

王晓伟 ;

刘耀荣 .

中国专利 :CN108562839A ,2018-09-21

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