一种制备碳化硅-金刚石复合衬底的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510017302.8

申请日：

2025-01-06

公开(公告)号：

CN119811986A

公开(公告)日：

2025-04-11

发明(设计)人：

王旗宗艳民隋晓明苏丽娜王凯宋猛刘硕徐光明谷容田周惠琴朱灿

申请人：

上海天岳半导体材料有限公司

申请人地址：

201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区鸿音路1211号10幢301室

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

代理机构：

北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716

代理人：

梁蒙蒙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20250106
2025-04-11	公开	公开

共 50 条

[1]

一种碳化硅-金刚石复合衬底及应用 [P].

王旗 ;

隋晓明 ;

宗艳民 ;

苏丽娜 ;

刘硕 ;

王凯 ;

张林 ;

潘亚妮 ;

党一帆 ;

朱灿 .

中国专利 :CN119812142A ,2025-04-11

[2]

一种高导热金刚石增强碳化硅衬底的制备方法 [P].

郑宇亭 ;

李成明 ;

张钦睿 ;

刘思彤 ;

魏俊俊 ;

郝志恒 ;

刘金龙 ;

陈良贤 ;

安康 ;

张建军 .

中国专利 :CN113571409B ,2021-10-29

[3]

一种嵌入式金刚石基碳化硅复合衬底的制备方法 [P].

郑宇亭 ;

李成明 ;

张钦睿 ;

刘思彤 ;

魏俊俊 ;

刘金龙 ;

陈良贤 ;

欧阳晓平 .

中国专利 :CN113151898A ,2021-07-23

[4]

一种金刚石增强碳化硅复合晶圆的制备方法 [P].

郑宇亭 ;

魏俊俊 ;

李成明 ;

尹育航 ;

周浩钧 ;

陶洪亮 .

中国专利 :CN114717540A ,2022-07-08

[5]

类金刚石-碳化硅复合薄膜的制备方法 [P].

许嘉麟 .

中国专利 :CN104131264A ,2014-11-05

[6]

一种金刚石/碳化硅预制件及金刚石/碳化硅/铝复合材料的制备方法 [P].

唐健江 ;

王鹏冲 .

中国专利 :CN108821775A ,2018-11-16

[7]

一种金刚石-碳化硅复合陶瓷及其制备方法 [P].

王凯 ;

王松娟 ;

王泳 ;

陶刚 ;

汪静 .

中国专利 :CN114133271A ,2022-03-04

[8]

一种增加金刚石在碳化硅衬底上成核密度的方法 [P].

彭燕 ;

胡秀飞 ;

王希玮 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN114214724A ,2022-03-22

[9]

一种碳化硅及纳米金刚石/碳化硅异质结的制备方法 [P].

胡晓君 ;

姜波 ;

张怡忠 ;

盛凌霄 ;

陈成克 .

中国专利 :CN117613139A ,2024-02-27

[10]

一种新型金刚石/碳化硅复合陶瓷及其制备方法 [P].

王凯 ;

汪静 ;

陶刚 ;

王泳 ;

董珊 .

中国专利 :CN113735583A ,2021-12-03

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