等离子体约束组件及等离子体处理装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311315732.5

申请日：

2023-10-11

公开(公告)号：

CN119811971A

公开(公告)日：

2025-04-11

发明(设计)人：

范光伟叶如彬杨宽周艳

申请人：

中微半导体设备（上海）股份有限公司

申请人地址：

201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号

IPC主分类号：

H01J37/32

IPC分类号：

H01L21/67

代理机构：

上海元好知识产权代理有限公司 31323

代理人：

曹媛;张双红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01J 37/32申请日:20231011
2025-04-11	公开	公开

共 50 条

[1]

等离子体约束环、约束组件及等离子体处理装置 [P].

范光伟 ;

叶如彬 ;

杨宽 ;

周艳 .

中国专利 :CN221102005U ,2024-06-07

[2]

等离子体约束装置及等离子体处理装置 [P].

南建辉 ;

宋巧丽 .

中国专利 :CN101419904B ,2009-04-29

[3]

等离子体约束装置及利用该等离子体约束装置的等离子体处理装置 [P].

陈金元 ;

周宁 ;

欧阳亮 ;

吴狄 ;

徐朝阳 ;

杜志游 ;

尹志尧 .

中国专利 :CN201514924U ,2010-06-23

[4]

等离子体约束装置及等离子体处理装置 [P].

傅时梁 ;

杨金全 ;

王枫 .

中国专利 :CN212461598U ,2021-02-02

[5]

等离子体产生组件及等离子体处理装置 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN210984687U ,2020-07-10

[6]

等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置、等离子体处理方法及等离子体处理装置 [P].

森口尚树 .

中国专利 :CN105103274A ,2015-11-25

[7]

等离子体处理装置及等离子体天线 [P].

禹相浩 ;

梁日光 ;

宋炳奎 .

中国专利 :CN102204416A ,2011-09-28

[8]

等离子体约束环、等离子体处理装置与基片处理方法 [P].

王兆祥 ;

苏兴才 .

中国专利 :CN106898534A ,2017-06-27

[9]

等离子体处理用气体、等离子体处理方法及等离子体处理装置 [P].

末田一行 ;

笹仓昌浩 ;

山本凌音 ;

角川舞 .

中国专利 :CN115699264A ,2023-02-03

[10]

等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P].

佐藤阳介 ;

宇井明生 ;

林久贵 .

中国专利 :CN105280489A ,2016-01-27

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