一种提高大直径碳化硅切割片出片率和切割质量的切割工艺

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专利类型
发明
申请号
CN202510010682.2
申请日
2025-01-03
公开(公告)号
CN119795405A
公开(公告)日
2025-04-11
发明(设计)人
张林 杨恒 隋晓明 刘硕 谷容田 王昆鹏 王旗
申请人
上海天岳半导体材料有限公司
申请人地址
201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区鸿音路1211号10幢301室
IPC主分类号
B28D5/04
IPC分类号
B28D7/00 B24B27/06 B24B1/00 C10M169/04
代理机构
北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716
代理人
梁蒙蒙
法律状态
公开
国省代码
上海市
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共 50 条
[1]
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[2]
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[3]
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[4]
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[9]
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[10]
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