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一种覆铜陶瓷基板及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411982345.1
申请日：
2024-12-31
公开(公告)号：
CN119775042A
公开(公告)日：
2025-04-08
发明(设计)人：
刘晓辉 周鑫
申请人：
南通威斯派尔半导体技术有限公司
申请人地址：
226000 江苏省南通市高新技术产业开发区双福路118号
IPC主分类号：
C04B37/02
IPC分类号：
B23K1/00 B23K1/20 H05K3/02 H05K1/03 C04B41/91 B23K101/42
代理机构：
南通国鑫智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 32606
代理人：
吕林峰
法律状态：
授权
国省代码：
河北省 保定市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-08-15 授权 授权
2025-04-25 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C04B 37/02申请日:20241231
2025-04-08 公开 公开
共 50 条
[1]
一种覆铜陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
刘晓辉 ;
周鑫 .
中国专利 :CN119775042B ,2025-08-15
[2]
一种多层覆铜陶瓷基板的制备方法 [P]. 
姚尚兵 ;
张光远 .
中国专利 :CN117279218B ,2024-05-24
[3]
一种覆铜陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
王斌 ;
贺贤汉 ;
欧阳鹏 ;
葛荘 ;
孙泉 ;
张恩荣 .
中国专利 :CN112164687A ,2021-01-01
[4]
一种单面覆铜陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
王栋 .
中国专利 :CN119946996A ,2025-05-06
[5]
一种高导热陶瓷通用覆铜基板及其制备方法 [P]. 
陈应峰 ;
吴海兵 .
中国专利 :CN113698213A ,2021-11-26
[6]
一种陶瓷覆铜基板及其制备方法 [P]. 
林全明 ;
梅心涛 ;
冯家伟 ;
施纯锡 .
中国专利 :CN118053841A ,2024-05-17
[7]
一种预图形化覆铜陶瓷基板及其制备方法 [P]. 
杨恺 ;
俞晓东 ;
刘晓辉 .
中国专利 :CN114466519A ,2022-05-10
[8]
一种低膨胀率陶瓷覆铜基板及其制备方法 [P]. 
王建龙 ;
周鑫 .
中国专利 :CN118561618A ,2024-08-30
[9]
一种氮化铝陶瓷覆铜基板及其制备方法 [P]. 
张昕 .
中国专利 :CN108155103A ,2018-06-12
[10]
陶瓷基板覆铜方法 [P]. 
蒲洪波 ;
黄文荣 ;
晏浩强 ;
陈超 ;
卿永金 ;
彭翔 .
中国专利 :CN119653607A ,2025-03-18
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