采用无磨料的铜CMP抛光液控制表面凹凸速率差的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411977078.9

申请日：

2024-12-31

公开(公告)号：

CN119776839A

公开(公告)日：

2025-04-08

发明(设计)人：

栾晓东邵沁霖樊硕晨

申请人：

江苏海洋大学

申请人地址：

222005 江苏省连云港市海州区苍梧路59号

IPC主分类号：

C23F3/04

IPC分类号：

C09G1/04

代理机构：

连云港抚正专利代理事务所(普通合伙) 32865

代理人：

黎国珍

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省连云港市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23F 3/04申请日:20241231
2025-04-08	公开	公开

共 50 条

[1]

用于CMP抛光液的紫外催化方法 [P].

王同庆 ;

王婕 ;

路新春 .

中国专利 :CN105563341A ,2016-05-11

[2]

用于集成电路铜布线的无磨料碱性铜精抛液及其制备方法 [P].

栾晓东 ;

邵沁霖 ;

樊硕晨 .

中国专利 :CN119776838A ,2025-04-08

[3]

硬盘磷化铟基板CMP抛光液的制备方法 [P].

刘玉岭 ;

王胜利 ;

项霞 .

中国专利 :CN102010664B ,2011-04-13

[4]

蓝宝石衬底材料CMP抛光液的制备方法 [P].

刘玉岭 ;

牛新环 ;

刘金玉 .

中国专利 :CN102010669A ,2011-04-13

[5]

一种高稳定的CMP抛光液 [P].

王继宝 ;

周翠苹 .

中国专利 :CN113214741B ,2021-08-06

[6]

一种基于TSV的铜/钛/TEOS速率选择性控制的CMP抛光液 [P].

潘国峰 ;

佘柳楠 ;

王辰伟 ;

周建伟 ;

曹子宜 .

中国专利 :CN119709023A ,2025-03-28

[7]

磷酸氧钛钾晶体CMP抛光液的制备方法 [P].

刘玉岭 ;

牛新环 ;

刘钠 .

中国专利 :CN102010668B ,2011-04-13

[8]

硫系相变材料化学机械抛光的无磨料抛光液及其应用 [P].

张楷亮 ;

宋志棠 ;

封松林 ;

陈邦明 .

中国专利 :CN100335581C ,2005-06-29

[9]

抛光液及使用该抛光液的抛光方法 [P].

上村哲也 .

中国专利 :CN101397482A ,2009-04-01

[10]

抛光液及使用该抛光液的抛光方法 [P].

上村哲也 .

中国专利 :CN101333417A ,2008-12-31

← 1 2 3 4 5 →