采用无磨料的铜CMP抛光液控制表面凹凸速率差的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411977078.9
申请日
2024-12-31
公开(公告)号
CN119776839A
公开(公告)日
2025-04-08
发明(设计)人
栾晓东 邵沁霖 樊硕晨
申请人
江苏海洋大学
申请人地址
222005 江苏省连云港市海州区苍梧路59号
IPC主分类号
C23F3/04
IPC分类号
C09G1/04
代理机构
连云港抚正专利代理事务所(普通合伙) 32865
代理人
黎国珍
法律状态
实质审查的生效
国省代码
江苏省 连云港市
引用
下载
收藏
共 50 条
[21]
一种处理铜/铜阻挡层抛光液的废液的方法 [P]. 
周文婷 ;
荆建芬 ;
王雨春 .
中国专利 :CN103803715A ,2014-05-21
[22]
一种处理铜/铜阻挡层抛光液的废液的方法 [P]. 
周文婷 ;
王雨春 .
中国专利 :CN104341046A ,2015-02-11
[23]
一种用于钛合金精抛的CMP抛光液及其制备方法 [P]. 
王海成 ;
罗浩宁 ;
姜霁涛 ;
高宇柱 ;
牛娟娟 ;
火雅茹 ;
孙蕊蕊 .
中国专利 :CN120192712A ,2025-06-24
[24]
一种混合磨料碱性蓝宝石衬底材料CMP抛光液及其制备方法 [P]. 
郑伟艳 ;
曾锡强 .
中国专利 :CN103571333A ,2014-02-12
[25]
无氧铜微结构功能表面射流抛光液及抛光方法 [P]. 
潘国顺 ;
艾天成 ;
张馨 ;
张文静 ;
郭丹 .
中国专利 :CN113956797A ,2022-01-21
[26]
用于CMP的研磨颗粒体系及抛光液 [P]. 
钟旻 .
中国专利 :CN103725256A ,2014-04-16
[27]
一种金属铜的抛光液 [P]. 
宋伟红 ;
姚颖 ;
陈国栋 ;
包建鑫 .
中国专利 :CN101418191B ,2009-04-29
[28]
一种提高氧化层去除速率的抛光液 [P]. 
徐志国 ;
褚鑫 ;
李星 ;
李仕权 .
中国专利 :CN119193007A ,2024-12-27
[29]
铜抛光中用的纳米二氧化硅磨料抛光液 [P]. 
仲跻和 .
中国专利 :CN101368068A ,2009-02-18
[30]
一种氧化铈制备方法及含有该氧化铈磨料的CMP抛光液 [P]. 
尹先升 ;
贾长征 ;
房庆华 ;
周仁杰 ;
王雨春 .
中国专利 :CN105800660A ,2016-07-27