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一种硒辅助干法转移晶圆尺寸二维半导体薄膜的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510030185.9
申请日：
2025-01-08
公开(公告)号：
CN119920682A
公开(公告)日：
2025-05-02
发明(设计)人：
张广宇 张兴超 王硕培 李娜
申请人：
松山湖材料实验室 中国科学院物理研究所
申请人地址：
523830 广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋
IPC主分类号：
H01L21/02
IPC分类号：
B82Y40/00
代理机构：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268
代理人：
王永文
法律状态：
公开
国省代码：
广东省 东莞市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-05-02 公开 公开
2025-10-03 授权 授权
2025-05-20 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20250108
共 50 条
[1]
一种硒辅助干法转移晶圆尺寸二维半导体薄膜的方法 [P]. 
张广宇 ;
张兴超 ;
王硕培 ;
李娜 .
中国专利 :CN119920682B ,2025-10-03
[2]
一种二维半导体薄膜的转移方法 [P]. 
谭化兵 ;
瞿研 ;
郭冰 .
中国专利 :CN117812981A ,2024-04-02
[3]
二维半导体材料的转移方法 [P]. 
邓香香 ;
黄春晖 ;
颜泽毅 ;
范斌斌 ;
胡城伟 ;
李晟曼 ;
吴燕庆 .
中国专利 :CN114649200A ,2022-06-21
[4]
二维半导体材料的转移方法 [P]. 
邓香香 ;
黄春晖 ;
颜泽毅 ;
范斌斌 ;
胡城伟 ;
李晟曼 ;
吴燕庆 .
中国专利 :CN114649200B ,2024-10-22
[5]
一种二维半导体薄膜异质结的堆叠转移方法 [P]. 
谭化兵 ;
瞿研 ;
郭冰 .
中国专利 :CN117794331A ,2024-03-29
[6]
一种二维半导体TMDCs晶圆及其制备方法 [P]. 
郝松 ;
吴家豪 ;
谢啸天 ;
程斌 .
中国专利 :CN121137807A ,2025-12-16
[7]
一种二维材料半导体薄膜的大规模制备及图案化方法及二维材料半导体薄膜 [P]. 
朱剑 ;
高香香 ;
尹君 ;
卞刚 .
中国专利 :CN111863624B ,2020-10-30
[8]
洁净无损的二维半导体材料转移方法 [P]. 
刁裕博 ;
李虎 .
中国专利 :CN119663434A ,2025-03-21
[9]
一种晶圆级二维材料薄膜的制备方法及半导体结构 [P]. 
黄元 ;
郭子浩 ;
刘驰骋 ;
韩旭 ;
周子贤 ;
刘鹏杰 ;
王业亮 .
中国专利 :CN121228239A ,2025-12-30
[10]
一种干法制备单层二维半导体阵列的方法 [P]. 
刘渊 ;
李志伟 .
中国专利 :CN113488373A ,2021-10-08
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