测试结构及其形成方法、套刻精度的检测方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110089675.8

申请日：

2021-01-22

公开(公告)号：

CN114823626B

公开(公告)日：

2025-04-25

发明(设计)人：

赵丹洋孙林林李强王伟王海舟苏波叶偲偲

申请人：

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L23/544

IPC分类号：

H01L21/66

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	授权	授权

共 50 条

[1]

测试结构及其形成方法、套刻精度的检测方法 [P].

赵丹洋 ;

孙林林 ;

李强 ;

王伟 ;

王海舟 ;

苏波 ;

叶偲偲 .

中国专利 :CN114823626A ,2022-07-29

[2]

套刻精度的检测结构及其制备方法、套刻精度的检测方法 [P].

季明华 ;

黄早红 .

中国专利 :CN115145127B ,2022-10-04

[3]

套刻精度的检测方法及其检测结构 [P].

张弓玉帛 ;

袁立春 .

中国专利 :CN113257704B ,2021-08-13

[4]

套刻精度的检测方法及其检测结构 [P].

柏耸 ;

张高颖 ;

何弦 ;

蔡哲炜 ;

王晓林 ;

徐爱群 ;

朱占魁 .

中国专利 :CN118795735A ,2024-10-18

[5]

套刻标记及其形成方法 [P].

易洪深 ;

杨尊 .

中国专利 :CN114326325A ,2022-04-12

[6]

一种套刻精度检测方法及半导体结构 [P].

卢绍祥 ;

陆聪 .

中国专利 :CN112435936B ,2021-03-02

[7]

套刻对准标记的形成方法 [P].

刘玄 ;

余啸 .

中国专利 :CN115206859B ,2025-09-16

[8]

套刻精度的检测方法 [P].

李钢 .

中国专利 :CN102749815A ,2012-10-24

[9]

半导体结构及其形成方法、量测套刻误差的方法 [P].

杨佳斐 ;

李胜 ;

吴建明 ;

张勇 .

中国专利 :CN119620535A ,2025-03-14

[10]

测试结构及其形成方法、测试方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN108573884A ,2018-09-25

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