离子束检测装置及离子束检测方法、离子注入设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411903572.0

申请日：

2024-12-23

公开(公告)号：

CN119890016A

公开(公告)日：

2025-04-25

发明(设计)人：

苏文华何太延

申请人：

杭州富芯半导体有限公司

申请人地址：

311418 浙江省杭州市富阳区灵桥镇滨富大道135号（滨富合作区）

IPC主分类号：

H01J37/244

IPC分类号：

H01J37/317

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

成亚婷

法律状态：

公开

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	公开	公开
2025-05-13	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01J 37/244申请日:20241223
2025-10-10	授权	授权

共 50 条

[1]

离子束检测装置及离子束检测方法、离子注入设备 [P].

苏文华 ;

何太延 .

中国专利 :CN119890016B ,2025-10-10

[2]

离子束调整装置及离子束调整方法、离子注入设备 [P].

苏文华 ;

何太延 .

中国专利 :CN119890018A ,2025-04-25

[3]

聚焦离子束设备及聚焦离子束检测方法 [P].

赖李龙 .

中国专利 :CN101246132B ,2008-08-20

[4]

一种离子束中和方法、离子束中和装置及离子注入设备 [P].

苏文华 ;

李振雨 .

中国专利 :CN119340203A ,2025-01-21

[5]

离子束流控制装置及离子注入设备 [P].

徐廷 .

中国专利 :CN223363104U ,2025-09-19

[6]

离子束浓度的检测方法及离子束检测系统 [P].

张伟 .

中国专利 :CN103295864B ,2013-09-11

[7]

离子束分析磁铁结构及离子注入设备 [P].

朱昆 ;

颜学庆 ;

蔡实现 ;

黄维 .

中国专利 :CN117080038B ,2024-08-23

[8]

离子束检测装置及方法 [P].

朱孟辉 .

中国专利 :CN115831695B ,2025-04-18

[9]

离子束检测装置和方法 [P].

让－马克·丰博纳 .

中国专利 :CN1302293C ,2004-11-03

[10]

一种离子束的调节装置及离子注入设备 [P].

易重洲 .

中国专利 :CN207719136U ,2018-08-10

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