一种用于碳化硅衬底研磨的钻石研磨液及其研磨方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510073789.1

申请日：

2025-01-17

公开(公告)号：

CN120041150A

公开(公告)日：

2025-05-27

发明(设计)人：

孙蕊蕊罗浩宁姜霁涛何慧龄牛娟娟王忠海马明兰火雅茹

申请人：

甘肃金阳高科技材料有限公司

申请人地址：

730100 甘肃省兰州市榆中县和平镇和平开发区工贸街

IPC主分类号：

C09K3/14

IPC分类号：

H01L21/304

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

甘肃省兰州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-13	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C09K 3/14申请日:20250117
2025-05-27	公开	公开

共 50 条

[1]

一种用于碳化硅衬底DMP的多晶钻石研磨液制备方法 [P].

陈斌 ;

王鑫 ;

刘胥冠 ;

赵庆振 ;

陈冬莉 .

中国专利 :CN119264873A ,2025-01-07

[2]

一种用于碳化硅衬底研磨用团聚钻石液的制备方法 [P].

陈斌 ;

李浩杰 ;

陶阳 ;

袁高龙 .

中国专利 :CN118406438A ,2024-07-30

[3]

一种水性碳化硅晶片研磨液及其制备方法 [P].

杨三贵 ;

王锡铭 ;

孙安信 .

中国专利 :CN106967386A ,2017-07-21

[4]

一种用于碳化硅衬底DMP的团聚钻石研磨液的制备方法 [P].

陈斌 ;

李浩杰 ;

李黎明 ;

陶阳 ;

陈冬莉 .

中国专利 :CN118638518A ,2024-09-13

[5]

一种碳化硅衬底晶片用研磨液 [P].

王来福 ;

王志强 ;

罗俊 ;

李龙飞 ;

马飞跃 .

中国专利 :CN119552579A ,2025-03-04

[6]

一种用于碳化硅衬底研磨用单晶钻石液的制备方法 [P].

陈斌 ;

王鑫 ;

刘胥冠 ;

李嘉春 .

中国专利 :CN118725826A ,2024-10-01

[7]

一种抛光液及其制备方法、碳化硅衬底的研磨方法 [P].

许嘉慧 ;

邢德风 ;

李永辉 ;

邵偲 ;

周维 .

中国专利 :CN119842322A ,2025-04-18

[8]

一种用于碳化硅衬底片CMP抛光液的制备方法 [P].

宋伟红 ;

宋菁 ;

席啸林 ;

蔡庆东 ;

赵梦亦宋 .

中国专利 :CN117866536A ,2024-04-12

[9]

一种用于单晶碳化硅衬底抛光的CMP抛光液及其制备方法 [P].

牛娟娟 ;

罗浩宁 ;

孙蕊蕊 ;

火雅茹 ;

王海成 ;

陈正磊 .

中国专利 :CN117987016A ,2024-05-07

[10]

一种研磨碳化硅晶圆的方法、碳化硅晶圆研磨液及其应用 [P].

郝唯佑 ;

翟虎 ;

林宏达 ;

孙金梅 .

中国专利 :CN117645841A ,2024-03-05

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