一种用于碳化硅衬底研磨用单晶钻石液的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410932579.9
申请日
2024-07-12
公开(公告)号
CN118725826A
公开(公告)日
2024-10-01
发明(设计)人
陈斌 王鑫 刘胥冠 李嘉春
申请人
深圳中机新材料有限公司
申请人地址
518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区粤兴三道8号中国地质大学产学研基地中地大楼C306
IPC主分类号
C09K3/14
IPC分类号
代理机构
深圳市龙成联合专利代理有限公司 44344
代理人
苏玉峰
法律状态
实质审查的生效
国省代码
广东省 深圳市
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共 50 条
[1]
一种用于碳化硅衬底研磨用团聚钻石液的制备方法 [P]. 
陈斌 ;
李浩杰 ;
陶阳 ;
袁高龙 .
中国专利 :CN118406438A ,2024-07-30
[2]
一种用于碳化硅衬底DMP的团聚钻石研磨液的制备方法 [P]. 
陈斌 ;
李浩杰 ;
李黎明 ;
陶阳 ;
陈冬莉 .
中国专利 :CN118638518A ,2024-09-13
[3]
一种碳化硅衬底晶片用研磨液 [P]. 
王来福 ;
王志强 ;
罗俊 ;
李龙飞 ;
马飞跃 .
中国专利 :CN119552579A ,2025-03-04
[4]
一种用于碳化硅衬底研磨的钻石研磨液及其研磨方法 [P]. 
孙蕊蕊 ;
罗浩宁 ;
姜霁涛 ;
何慧龄 ;
牛娟娟 ;
王忠海 ;
马明兰 ;
火雅茹 .
中国专利 :CN120041150A ,2025-05-27
[5]
一种用于碳化硅衬底DMP的多晶钻石研磨液制备方法 [P]. 
陈斌 ;
王鑫 ;
刘胥冠 ;
赵庆振 ;
陈冬莉 .
中国专利 :CN119264873A ,2025-01-07
[6]
碳化硅衬底及碳化硅衬底制备方法 [P]. 
欧阳鹏根 ;
刘小琴 ;
盛永江 ;
杨水淼 ;
陈彦宇 ;
杨华 .
中国专利 :CN120193333B ,2025-10-10
[7]
一种用于碳化硅衬底抛光的钻石垫及其制备方法 [P]. 
许亚杰 ;
陈森军 .
中国专利 :CN118404493A ,2024-07-30
[8]
碳化硅衬底及碳化硅衬底制备方法 [P]. 
欧阳鹏根 ;
刘小琴 ;
盛永江 ;
杨水淼 ;
陈彦宇 ;
杨华 .
中国专利 :CN120193333A ,2025-06-24
[9]
一种碳化硅衬底的制备方法及碳化硅衬底 [P]. 
欧欣 ;
伊艾伦 .
中国专利 :CN114864424A ,2022-08-05
[10]
制造碳化硅单晶的方法和碳化硅衬底 [P]. 
西口太郎 ;
原田真 ;
佐佐木信 .
中国专利 :CN102473605A ,2012-05-23