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半导体器件和半导体系统

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411718605.4
申请日：
2024-11-28
公开(公告)号：
CN120128155A
公开(公告)日：
2025-06-10
发明(设计)人：
林本肇 濑胁健司
申请人：
瑞萨电子株式会社
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H03K19/00
IPC分类号：
H03K19/21
代理机构：
北京市金杜律师事务所 11256
代理人：
刘奇
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-06-10 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体器件、半导体系统和半导体器件制造方法 [P]. 
福冈一树 ;
植村俊文 ;
北地祐子 .
日本专利 :CN109428569B ,2024-03-26
[2]
半导体器件、半导体系统和半导体器件制造方法 [P]. 
福冈一树 ;
植村俊文 ;
北地祐子 .
中国专利 :CN109428569A ,2019-03-05
[3]
半导体器件和半导体系统 [P]. 
姜栋皓 .
中国专利 :CN113314183A ,2021-08-27
[4]
半导体器件和半导体系统 [P]. 
卢映圭 .
中国专利 :CN106158043A ,2016-11-23
[5]
半导体器件和半导体系统 [P]. 
张学利 ;
浦香君 ;
吴志伟 ;
秦涛 .
中国专利 :CN119988271A ,2025-05-13
[6]
半导体器件和半导体系统 [P]. 
李釉钟 ;
郭康燮 .
韩国专利 :CN112908376B ,2024-05-31
[7]
半导体器件和半导体系统 [P]. 
竹内干 ;
小西信也 ;
土屋文男 ;
岛田将树 .
中国专利 :CN109828192A ,2019-05-31
[8]
半导体器件和半导体系统 [P]. 
李釉钟 ;
郭康燮 .
中国专利 :CN112908376A ,2021-06-04
[9]
半导体器件和半导体系统 [P]. 
林雅兰 ;
宋镐旭 .
中国专利 :CN106057231B ,2016-10-26
[10]
半导体器件和半导体系统 [P]. 
崔善明 .
中国专利 :CN111667861A ,2020-09-15
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