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一种二维Re<sub>x</sub>Mo<sub>1-x</sub>S<sub>2</sub>异质结光电探测器的制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510119302.9
申请日：
2025-01-24
公开(公告)号：
CN120076426A
公开(公告)日：
2025-05-30
发明(设计)人：
栾致勇 梁瑶 武素梅 魏争 刘向 张志华
申请人：
大连交通大学
申请人地址：
116000 辽宁省大连市沙河口区黄河路794号
IPC主分类号：
H10F30/21
IPC分类号：
H10F77/12 H10F71/00
代理机构：
大连东方专利代理有限责任公司 21212
代理人：
房艳萍;李馨
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
辽宁省 大连市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-06-17 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10F 30/21申请日:20250124
2025-05-30 公开 公开
共 50 条
[1]
CuO<sub>x</sub>/WSe<sub>2</sub>异质结光电探测器及其制备方法 [P]. 
孙颖慧 ;
蒋文贵 ;
王荣明 .
中国专利 :CN117727816A ,2024-03-19
[2]
一种组分连续调控二维材料Mo<sub>1-x</sub>W<sub>x</sub>S<sub>2</sub>的CVD生长方法 [P]. 
黄祖强 ;
赵洪泉 ;
石轩 .
中国专利 :CN118147742A ,2024-06-07
[3]
基于SnS<sub>2</sub>/MoS<sub>2</sub>的PEC型光电探测器及SnS<sub>2</sub>/MoS<sub>2</sub>异质结的制备方法 [P]. 
周译玄 ;
刘玉琪 ;
卢春辉 ;
徐新龙 ;
黄媛媛 .
中国专利 :CN114812805B ,2025-12-19
[4]
Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>横向异质结光电探测器及其制备方法 [P]. 
白甜甜 ;
顾培民 .
中国专利 :CN120529679A ,2025-08-22
[5]
一种基于二维LiInP<sub>2</sub>Se<sub>6</sub>的光电探测器及制备方法 [P]. 
王善朋 ;
孙蓝静 ;
马超 ;
陶绪堂 .
中国专利 :CN117936625A ,2024-04-26
[6]
MoTe<sub>2</sub>/CdS<sub>0.42</sub>Se<sub>0.58</sub>薄片异质结光电探测器及制备方法 [P]. 
谭秋红 ;
王前进 ;
马然 ;
刘应开 .
中国专利 :CN118156339A ,2024-06-07
[7]
MoTe<sub>2</sub>/CdS<sub>0.42</sub>Se<sub>0.58</sub>薄片异质结光电探测器及制备方法 [P]. 
谭秋红 ;
王前进 ;
马然 ;
刘应开 .
中国专利 :CN118156339B ,2024-11-12
[8]
ReS<sub>2(1-x)</sub>Se<sub>2x</sub>肖特基结型光电探测器的制作方法及探测器 [P]. 
冯文林 ;
杨晓占 ;
何志勇 .
中国专利 :CN115020543B ,2024-07-26
[9]
一种三元Sb<sub>2</sub>(Se<sub>1-x</sub>Te<sub>x</sub>)<sub>3</sub>二维纳米片的制备方法 [P]. 
黄兴 ;
杨顺航 ;
李倩 .
中国专利 :CN117566694B ,2025-11-07
[10]
一种三元Sb<sub>2</sub>(Se<sub>1-x</sub>Te<sub>x</sub>)<sub>3</sub>二维纳米片的制备方法 [P]. 
黄兴 ;
杨顺航 ;
李倩 .
中国专利 :CN117566694A ,2024-02-20
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