一种有机半导体薄膜的制备方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510047640.6

申请日：

2025-01-13

公开(公告)号：

CN119955135A

公开(公告)日：

2025-05-09

发明(设计)人：

邵明张迪王振业杨吕鹏

申请人：

华中科技大学

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

C08J5/18

IPC分类号：

C08L65/00 C08K5/46 H10K85/10

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

尹丽媛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

湖北省武汉市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C08J 5/18申请日:20250113
2025-05-09	公开	公开

共 50 条

[1]

一种有机半导体薄膜的制备装置及其制备方法 [P].

王璐 ;

朱瑞雪 ;

翁祖谦 .

中国专利 :CN118969667A ,2024-11-15

[2]

一种有机半导体薄膜的制备方法 [P].

李岗 ;

国欣鑫 ;

张晓辉 .

中国专利 :CN103066216A ,2013-04-24

[3]

一种多孔有机半导体薄膜的制备方法 [P].

张新安 ;

蒋俊华 ;

张朋林 ;

郑海务 ;

张伟风 .

中国专利 :CN108963080B ,2018-12-07

[4]

一种有机半导体材料、制备方法及应用 [P].

周雪琴 ;

冯文慧 ;

刘东志 ;

李巍 ;

汪天洋 .

中国专利 :CN111834531B ,2020-10-27

[5]

有机半导体薄膜的制造方法 [P].

竹谷纯一 ;

添田淳史 .

中国专利 :CN105144417B ,2015-12-09

[6]

有机半导体材料,有机半导体薄膜和有机半导体器件 [P].

大江貴裕 ;

川島紀之 ;

高橋保 ;

菅野研一郎 .

中国专利 :CN1872836A ,2006-12-06

[7]

有机半导体材料，有机半导体薄膜和有机半导体器件 [P].

大江贵裕 ;

川岛纪之 ;

高桥保 ;

菅野研一郎 .

中国专利 :CN102161621A ,2011-08-24

[8]

有机半导体器件和有机半导体薄膜 [P].

胜原真央 ;

鹈川彰人 ;

宫本佳洋 ;

国清敏幸 .

中国专利 :CN101326653B ,2008-12-17

[9]

一种有机半导体薄膜及其制备方法 [P].

王向华 .

中国专利 :CN112724962B ,2021-04-30

[10]

一种制备多孔有机半导体薄膜的方法 [P].

胡袁源 ;

郭景 ;

陈平安 ;

陈卓俊 .

中国专利 :CN112968127B ,2021-06-15

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