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低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010729669.X
申请日：
2020-07-27
公开(公告)号：
CN111725244B
公开(公告)日：
2025-06-03
发明(设计)人：
刘翔
申请人：
成都京东方显示科技有限公司
申请人地址：
610200 四川省成都市双流区黄甲街道青栏路1778号
IPC主分类号：
H10D86/60
IPC分类号：
H10D86/01
H10D30/67
代理机构：
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人：
朱颖;臧建明
法律状态：
授权
国省代码：
四川省
成都市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-06-03 | 授权 | 授权 |
| 2025-05-16 | 著录事项变更 | 著录事项变更IPC(主分类):H01L 27/12变更事项:申请人变更前:成都中电熊猫显示科技有限公司变更后:成都京东方显示科技有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:610200 四川省成都市双流区公兴街道青栏路1778号变更后:610200 四川省成都市双流区黄甲街道青栏路1778号 |