共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010729635.0
申请日：
2020-07-27
公开(公告)号：
CN111725243A
公开(公告)日：
2020-09-29
发明(设计)人：
刘翔
申请人：
申请人地址：
610200 四川省成都市双流区公兴街道青栏路1778号
IPC主分类号：
H01L2712
IPC分类号：
H01L2177
代理机构：
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人：
朱颖;刘芳
法律状态：
公开
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-09-29 | 公开 | 公开 |
| 2020-10-27 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20200727 |