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用于制造干电极的装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411756348.3
申请日
:
2024-12-03
公开(公告)号
:
CN120109134A
公开(公告)日
:
2025-06-06
发明(设计)人
:
李东根
李珍宪
权昇旭
片雅灆
崔钟燮
申请人
:
三星SDI株式会社
申请人地址
:
韩国京畿道
IPC主分类号
:
H01M4/04
IPC分类号
:
代理机构
:
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
:
弋桂芬
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-06-06
公开
公开
2025-06-24
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01M 4/04申请日:20241203
共 50 条
[1]
用于制造干电极的装置和干电极制造方法
[P].
李珍宪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李珍宪
;
权昇旭
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
权昇旭
;
片雅灆
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
片雅灆
;
权一京
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
权一京
.
韩国专利
:CN120089671A
,2025-06-03
[2]
用于制造干电极的装置和制造干电极的方法
[P].
片雅灆
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
片雅灆
;
李珍宪
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李珍宪
;
权昇旭
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
权昇旭
;
崔钟燮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
崔钟燮
.
韩国专利
:CN121237793A
,2025-12-30
[3]
用于制造干电极的装置、用于制造干电极的方法和由此制造的干电极
[P].
李佳彦
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李佳彦
;
李珍宪
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李珍宪
;
权一京
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
权一京
;
崔允柱
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
崔允柱
;
崔钟燮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
崔钟燮
.
韩国专利
:CN120784259A
,2025-10-14
[4]
干电极和干电极制造方法
[P].
朴光源
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
朴光源
;
李承勋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李承勋
;
郑多恩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
郑多恩
;
文祯基
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
文祯基
;
李珍宪
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李珍宪
;
崔钟燮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
崔钟燮
.
韩国专利
:CN120727719A
,2025-09-30
[5]
干电极制造装置及干电极制造方法
[P].
金钢敏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
金钢敏
;
金相泌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
金相泌
;
延东熙
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
延东熙
;
李珍宪
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李珍宪
;
李佳彦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李佳彦
.
韩国专利
:CN120773393A
,2025-10-14
[6]
干电极制造装置及干电极制造方法
[P].
金钢敏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
金钢敏
;
金相泌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
金相泌
;
延东熙
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
延东熙
;
李珍宪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李珍宪
;
李佳彦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李佳彦
.
韩国专利
:CN120773392A
,2025-10-14
[7]
干电极制造设备、干电极的制造方法和干电极膜
[P].
片雅灆
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
片雅灆
;
李珍宪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李珍宪
;
权昇旭
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
权昇旭
;
李东根
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李东根
;
崔钟燮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
崔钟燮
.
韩国专利
:CN120038886A
,2025-05-27
[8]
干电极制造装置
[P].
李东燮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李东燮
;
金基成
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
金基成
;
金玿埙
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
金玿埙
;
朴俊丘
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
朴俊丘
;
朴镇绪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
朴镇绪
;
徐源燮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
徐源燮
;
崔京泽
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
崔京泽
;
表永学
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
表永学
.
韩国专利
:CN120784260A
,2025-10-14
[9]
制造干电极的方法和制造干电极的系统
[P].
金珉哲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
株式会社LG新能源
株式会社LG新能源
金珉哲
.
韩国专利
:CN118805267A
,2024-10-18
[10]
干电极、制造其的方法、和用于制造其的装置
[P].
方承权
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
方承权
;
李珍宪
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李珍宪
;
崔钟燮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
崔钟燮
;
高境彬
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
高境彬
;
金璋焕
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
金璋焕
.
韩国专利
:CN120709270A
,2025-09-26
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