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干电极制造装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510431316.4
申请日
:
2025-04-08
公开(公告)号
:
CN120784260A
公开(公告)日
:
2025-10-14
发明(设计)人
:
李东燮
金基成
金玿埙
朴俊丘
朴镇绪
徐源燮
崔京泽
表永学
申请人
:
三星SDI株式会社
申请人地址
:
韩国京畿道
IPC主分类号
:
H01M4/04
IPC分类号
:
B29D7/01
代理机构
:
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
:
翟然
法律状态
:
公开
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-10-14
公开
公开
2025-10-31
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01M 4/04申请日:20250408
共 50 条
[1]
干电极制造装置及干电极制造方法
[P].
金钢敏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
金钢敏
;
金相泌
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
金相泌
;
延东熙
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
延东熙
;
李珍宪
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李珍宪
;
李佳彦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李佳彦
.
韩国专利
:CN120773393A
,2025-10-14
[2]
干电极制造装置及干电极制造方法
[P].
金钢敏
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
金钢敏
;
金相泌
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
金相泌
;
延东熙
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
延东熙
;
李珍宪
论文数:
0
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0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李珍宪
;
李佳彦
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李佳彦
.
韩国专利
:CN120773392A
,2025-10-14
[3]
用于制造干电极的装置和干电极制造方法
[P].
李珍宪
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李珍宪
;
权昇旭
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0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
权昇旭
;
片雅灆
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0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
片雅灆
;
权一京
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
权一京
.
韩国专利
:CN120089671A
,2025-06-03
[4]
干电极制造设备、干电极的制造方法和干电极膜
[P].
片雅灆
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
片雅灆
;
李珍宪
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0
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0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李珍宪
;
权昇旭
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0
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
权昇旭
;
李东根
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李东根
;
崔钟燮
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
崔钟燮
.
韩国专利
:CN120038886A
,2025-05-27
[5]
用于制造干电极的装置、用于制造干电极的方法和由此制造的干电极
[P].
李佳彦
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李佳彦
;
李珍宪
论文数:
0
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0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李珍宪
;
权一京
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
权一京
;
崔允柱
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
崔允柱
;
崔钟燮
论文数:
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引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
崔钟燮
.
韩国专利
:CN120784259A
,2025-10-14
[6]
干电极和干电极制造方法
[P].
朴光源
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
朴光源
;
李承勋
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0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李承勋
;
郑多恩
论文数:
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0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
郑多恩
;
文祯基
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0
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0
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
文祯基
;
李珍宪
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李珍宪
;
崔钟燮
论文数:
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引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
崔钟燮
.
韩国专利
:CN120727719A
,2025-09-30
[7]
用于制造干电极的装置和制造干电极的方法
[P].
片雅灆
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
片雅灆
;
李珍宪
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引用数:
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李珍宪
;
权昇旭
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引用数:
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机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
权昇旭
;
崔钟燮
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0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
崔钟燮
.
韩国专利
:CN121237793A
,2025-12-30
[8]
干电极制造设备
[P].
郭相旻
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
株式会社LG新能源
株式会社LG新能源
郭相旻
;
姜声旭
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机构:
株式会社LG新能源
株式会社LG新能源
姜声旭
;
尹景焕
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机构:
株式会社LG新能源
株式会社LG新能源
尹景焕
;
李基硕
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机构:
株式会社LG新能源
株式会社LG新能源
李基硕
;
李南贞
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机构:
株式会社LG新能源
株式会社LG新能源
李南贞
;
李镐替
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机构:
株式会社LG新能源
株式会社LG新能源
李镐替
;
曹源鹤
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引用数:
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机构:
株式会社LG新能源
株式会社LG新能源
曹源鹤
;
韩在成
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0
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机构:
株式会社LG新能源
株式会社LG新能源
韩在成
;
朴文洙
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机构:
株式会社LG新能源
株式会社LG新能源
朴文洙
;
黄九渊
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机构:
株式会社LG新能源
株式会社LG新能源
黄九渊
.
韩国专利
:CN119343780A
,2025-01-21
[9]
用于制造干电极的装置
[P].
李东根
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李东根
;
李珍宪
论文数:
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
李珍宪
;
权昇旭
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
权昇旭
;
片雅灆
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
片雅灆
;
崔钟燮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
崔钟燮
.
韩国专利
:CN120109134A
,2025-06-06
[10]
干式电极膜片制造装置
[P].
许龙日
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市新嘉拓自动化技术有限公司
深圳市新嘉拓自动化技术有限公司
许龙日
;
傅庆源
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
深圳市新嘉拓自动化技术有限公司
深圳市新嘉拓自动化技术有限公司
傅庆源
;
周研
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
深圳市新嘉拓自动化技术有限公司
深圳市新嘉拓自动化技术有限公司
周研
;
张冬
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
深圳市新嘉拓自动化技术有限公司
深圳市新嘉拓自动化技术有限公司
张冬
.
中国专利
:CN119447144A
,2025-02-14
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