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一种硅片背封工艺
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510210949.2
申请日
:
2025-02-25
公开(公告)号
:
CN120089593A
公开(公告)日
:
2025-06-03
发明(设计)人
:
董建斌
刘建伟
谢琼震
安凯歌
王云浩
聂勇
申请人
:
天津中环领先材料技术有限公司
中环领先半导体科技股份有限公司
申请人地址
:
300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区(环外)海泰东路12号内
IPC主分类号
:
H01L21/02
IPC分类号
:
代理机构
:
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213
代理人
:
栾志超
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-06-20
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20250225
2025-06-03
公开
公开
共 50 条
[1]
一种有效去除背封硅片背面背封点的工艺方法
[P].
林霖
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林霖
;
史训达
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史训达
;
刘云霞
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刘云霞
;
陈克强
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陈克强
;
杨少坤
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杨少坤
;
周莹莹
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周莹莹
;
李奇
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李奇
;
李兰军
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李兰军
.
中国专利
:CN112086342A
,2020-12-15
[2]
一种改善背封硅片边缘质量的方法
[P].
刘佐星
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刘佐星
;
刘斌
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刘斌
;
肖清华
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肖清华
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冯泉林
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冯泉林
;
李宗峰
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李宗峰
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陈赫
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陈赫
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程凤伶
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程凤伶
;
鲁进军
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鲁进军
;
刘俊
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刘俊
;
李俊峰
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李俊峰
;
卢立延
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卢立延
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孙媛
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孙媛
;
石宇
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石宇
.
中国专利
:CN106914802A
,2017-07-04
[3]
改善背封硅片背面晶点的工艺方法
[P].
焦芬芬
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机构:
杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
焦芬芬
.
中国专利
:CN118658776A
,2024-09-17
[4]
硅片背封的制作方法
[P].
王柯
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王柯
;
程刘锁
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程刘锁
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闫玉琴
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闫玉琴
;
范晓
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范晓
;
王函
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王函
.
中国专利
:CN112670162A
,2021-04-16
[5]
一种多晶背封改善大直径半导体硅片几何参数的工艺
[P].
王昊宇
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王昊宇
;
江笠
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江笠
;
李凯鹏
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李凯鹏
;
孙晨光
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孙晨光
;
夏炜
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夏炜
.
中国专利
:CN111681945A
,2020-09-18
[6]
一种超级背封硅片的加工方法、设备及介质
[P].
彭建明
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机构:
上海中欣晶圆半导体科技有限公司
上海中欣晶圆半导体科技有限公司
彭建明
.
中国专利
:CN118335593A
,2024-07-12
[7]
一种硅片清洗工艺
[P].
闫志瑞
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闫志瑞
;
库黎明
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库黎明
;
常青
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常青
.
中国专利
:CN102486994A
,2012-06-06
[8]
一种硅片抛光工艺
[P].
吴鹏飞
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机构:
中环领先半导体科技股份有限公司
中环领先半导体科技股份有限公司
吴鹏飞
;
成子恒
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机构:
中环领先半导体科技股份有限公司
中环领先半导体科技股份有限公司
成子恒
;
张超仁
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机构:
中环领先半导体科技股份有限公司
中环领先半导体科技股份有限公司
张超仁
;
黄春峰
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机构:
中环领先半导体科技股份有限公司
中环领先半导体科技股份有限公司
黄春峰
;
张强
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机构:
中环领先半导体科技股份有限公司
中环领先半导体科技股份有限公司
张强
.
中国专利
:CN120480672A
,2025-08-15
[9]
一种超级背封品再腐蚀的工艺方法
[P].
马爱
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马爱
;
贺贤汉
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贺贤汉
;
施炜青
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施炜青
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张松江
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张松江
.
中国专利
:CN108172499A
,2018-06-15
[10]
一种适用于多晶硅背封硅片的返工利用方法
[P].
孙新利
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机构:
浙江中晶新材料研究有限公司
浙江中晶新材料研究有限公司
孙新利
;
马俊
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机构:
浙江中晶新材料研究有限公司
浙江中晶新材料研究有限公司
马俊
;
吴晓峰
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机构:
浙江中晶新材料研究有限公司
浙江中晶新材料研究有限公司
吴晓峰
;
杨建松
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机构:
浙江中晶新材料研究有限公司
浙江中晶新材料研究有限公司
杨建松
;
陆燕
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机构:
浙江中晶新材料研究有限公司
浙江中晶新材料研究有限公司
陆燕
;
于鹏辉
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机构:
浙江中晶新材料研究有限公司
浙江中晶新材料研究有限公司
于鹏辉
.
中国专利
:CN118098931A
,2024-05-28
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