一种多晶背封改善大直径半导体硅片几何参数的工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010391841.5

申请日：

2020-05-11

公开(公告)号：

CN111681945A

公开(公告)日：

2020-09-18

发明(设计)人：

王昊宇江笠李凯鹏孙晨光夏炜

申请人：

申请人地址：

214200 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

北京卓特专利代理事务所(普通合伙) 11572

代理人：

段宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-18	公开	公开
2020-10-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20200511

共 50 条

[1]

一种减薄改善大直径半导体硅片表面平整度的工艺 [P].

王昊宇 ;

江笠 ;

夏炜 .

中国专利 :CN112002630A ,2020-11-27

[2]

一种边抛改善大直径半导体硅片边缘粗糙度的工艺 [P].

王昊宇 ;

江笠 ;

王彦君 ;

孙晨光 .

中国专利 :CN111816548A ,2020-10-23

[3]

一种改善大直径半导体硅片背封针孔不良的方法 [P].

王昊宇 ;

江笠 ;

孙晨光 ;

王彦君 .

中国专利 :CN113249705A ,2021-08-13

[4]

一种大直径半导体硅片单面抛光的工艺 [P].

张超仁 ;

李星 ;

林涛 ;

孙晨光 ;

王彦君 .

中国专利 :CN111730418A ,2020-10-02

[5]

一种改善大直径硅圆片几何参数的切割工艺 [P].

常雪岩 ;

武卫 ;

刘园 ;

刘建伟 ;

祝斌 ;

刘姣龙 ;

裴坤羽 ;

袁祥龙 ;

孙晨光 ;

王彦君 ;

王聚安 ;

由佰玲 ;

杨春雪 ;

谢艳 ;

刘秒 ;

吕莹 ;

徐荣清 .

中国专利 :CN111546519A ,2020-08-18

[6]

一种改善有多晶硅背封的单晶硅片翘曲度的方法 [P].

吴泓明 ;

张田田 ;

钟佑生 ;

王文博 ;

李云鹏 ;

喻阳平 ;

张丽 .

中国专利 :CN118866710A ,2024-10-29

[7]

一种大直径硅片抛光装置 [P].

库黎明 ;

闫志瑞 ;

索思卓 ;

鲁进军 ;

常青 .

中国专利 :CN201711850U ,2011-01-19

[8]

一种改善背封硅片边缘质量的方法 [P].

刘佐星 ;

刘斌 ;

肖清华 ;

冯泉林 ;

李宗峰 ;

陈赫 ;

程凤伶 ;

鲁进军 ;

刘俊 ;

李俊峰 ;

卢立延 ;

孙媛 ;

石宇 .

中国专利 :CN106914802A ,2017-07-04

[9]

一种可以改善半导体晶片几何参数的晶片加工方法 [P].

林健 ;

徐永宽 ;

刘玉岭 ;

刘春香 ;

杨洪星 ;

吕菲 .

中国专利 :CN100392818C ,2006-06-14

[10]

一种硅片背封工艺 [P].

董建斌 ;

刘建伟 ;

谢琼震 ;

安凯歌 ;

王云浩 ;

聂勇 .

中国专利 :CN120089593A ,2025-06-03

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