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一种减薄改善大直径半导体硅片表面平整度的工艺
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010391829.4
申请日：
2020-05-11
公开(公告)号：
CN112002630A
公开(公告)日：
2020-11-27
发明(设计)人：
王昊宇
江笠
夏炜
申请人：
申请人地址：
214200 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道
IPC主分类号：
H01L2102
IPC分类号：
代理机构：
北京卓特专利代理事务所(普通合伙) 11572
代理人：
段宇
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-11-27 | 公开 | 公开 |
| 2020-12-15 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20200511 |