一种半导体硅片的减薄制造工艺

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专利类型
发明
申请号
CN200710042805.2
申请日
2007-06-27
公开(公告)号
CN101101873A
公开(公告)日
2008-01-09
发明(设计)人
王新
申请人
申请人地址
200122上海市浦东新区东方路971号钱江大厦14楼H座
IPC主分类号
H01L2130
IPC分类号
代理机构
上海京沪专利代理事务所
代理人
沈美英
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体硅片制造工艺 [P]. 
库黎明 ;
闫志瑞 ;
索思卓 ;
陈海滨 ;
盛方毓 .
中国专利 :CN101791779A ,2010-08-04
[2]
一种半导体硅片减薄砂轮 [P]. 
胡永强 ;
郑昆鹏 ;
刘鹏辉 ;
刘新建 .
中国专利 :CN215700940U ,2022-02-01
[3]
一种减薄改善大直径半导体硅片表面平整度的工艺 [P]. 
王昊宇 ;
江笠 ;
夏炜 .
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[4]
半导体硅片的清洗工艺腔及半导体硅片的清洗工艺 [P]. 
张晨骋 .
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[5]
一种半导体硅片脱胶工艺 [P]. 
王少刚 ;
邢玉军 ;
范猛 ;
王帅 ;
张全红 ;
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[6]
一种半导体硅片减薄蚀刻液、其制备方法与应用 [P]. 
侯军 ;
武文东 ;
田继升 ;
王凯旋 ;
赵晓莹 ;
任洁 ;
罗鹏旭 .
中国专利 :CN119121416A ,2024-12-13
[7]
一种半导体硅片减薄蚀刻液、其制备方法与应用 [P]. 
侯军 ;
武文东 ;
田继升 ;
王凯旋 ;
赵晓莹 ;
任洁 ;
罗鹏旭 .
中国专利 :CN119121416B ,2025-02-11
[8]
一种硅片减薄方法 [P]. 
王思亮 ;
胡强 ;
张世勇 ;
樱井建弥 .
中国专利 :CN103606517A ,2014-02-26
[9]
一种半导体的减薄装置 [P]. 
张政 ;
刘文彬 ;
王新贵 .
中国专利 :CN221953056U ,2024-11-05
[10]
一种半导体单晶硅片的除杂工艺及制造工艺 [P]. 
王洪武 ;
胡碧波 ;
代冰 ;
周霖 ;
冯帆 ;
黄德智 .
中国专利 :CN113793800B ,2024-04-09