氧化镓晶体微观缺陷及掺杂调控系统及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411397013.7

申请日：

2024-10-09

公开(公告)号：

CN119221125B

公开(公告)日：

2025-06-17

发明(设计)人：

肖迪肖燕青郑东赵俊竹戴磊

申请人：

青岛华芯晶电科技有限公司青岛芯康半导体科技有限公司

申请人地址：

266000 山东省青岛市高新区河东路383号

IPC主分类号：

C30B29/16

IPC分类号：

C30B25/16

代理机构：

北京铭创聚诚知识产权代理有限公司 13156

代理人：

龙烁

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-31	公开	公开
2025-06-17	授权	授权
2025-01-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/16申请日:20241009

共 50 条

[1]

氧化镓晶体微观缺陷及掺杂调控系统及方法 [P].

肖迪 ;

肖燕青 ;

郑东 ;

赵俊竹 ;

戴磊 .

中国专利 :CN119221125A ,2024-12-31

[2]

基于图像处理的氧化镓晶体微观缺陷检测方法及系统 [P].

肖燕青 ;

郑东 ;

肖迪 ;

王鑫 ;

纪双涛 ;

贾松松 .

中国专利 :CN119335014B ,2025-05-27

[3]

基于图像处理的氧化镓晶体微观缺陷检测方法及系统 [P].

肖燕青 ;

郑东 ;

肖迪 ;

王鑫 ;

纪双涛 ;

贾松松 .

中国专利 :CN119335014A ,2025-01-21

[4]

基于图像分析的氧化镓晶体生产质量调控系统及方法 [P].

肖燕青 ;

肖迪 ;

郑东 ;

吕可慧 ;

王鑫 ;

张秀芳 .

中国专利 :CN118596373B ,2024-12-03

[5]

基于图像分析的氧化镓晶体生产质量调控系统及方法 [P].

肖燕青 ;

肖迪 ;

郑东 ;

吕可慧 ;

王鑫 ;

张秀芳 .

中国专利 :CN118596373A ,2024-09-06

[6]

掺杂氧化镓晶体及其制备方法 [P].

夏长泰 ;

赛青林 ;

周威 ;

齐红基 .

中国专利 :CN108531989A ,2018-09-14

[7]

掺杂氧化镓晶体及其制备方法 [P].

夏长泰 ;

赛青林 ;

周威 ;

齐红基 .

中国专利 :CN114836832A ,2022-08-02

[8]

一种基于微观缺陷分析的氧化镓晶体电学性能提升方法 [P].

肖燕青 ;

肖迪 ;

王鑫 ;

姜健 .

中国专利 :CN119619135A ,2025-03-14

[9]

氧化镓微观缺陷电学特性调节方法 [P].

肖燕青 ;

郑东 ;

肖迪 ;

吕可慧 ;

贾松松 ;

李亚平 .

中国专利 :CN119048455A ,2024-11-29

[10]

氧化镓微观缺陷电学特性调节方法 [P].

肖燕青 ;

郑东 ;

肖迪 ;

吕可慧 ;

贾松松 ;

李亚平 .

中国专利 :CN119048455B ,2025-08-19

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