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沟槽型MOSFET晶圆的掩模版
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202422243091.3
申请日：
2024-09-12
公开(公告)号：
CN223022529U
公开(公告)日：
2025-06-24
发明(设计)人：
白羽
申请人：
湖南虹安微电子有限责任公司
申请人地址：
410000 湖南省长沙市高新开发区麓枫路61号湘麓国际花园二期酒店、公寓2509
IPC主分类号：
G03F1/38
IPC分类号：
H01L21/027
代理机构：
深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393
代理人：
刘悦
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-06-24 | 授权 | 授权 |