一种氮化镓基红光发光二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510290610.8

申请日：

2025-03-12

公开(公告)号：

CN120152456A

公开(公告)日：

2025-06-13

发明(设计)人：

殷柱龙

申请人：

东莞市宇腾半导体科技有限公司

申请人地址：

523500 广东省东莞市寮步镇塘唇双岗小区街225号

IPC主分类号：

H10H20/815

IPC分类号：

H10H20/812 H10H20/01

代理机构：

北京博睿森知识产权代理有限公司 16323

代理人：

董大媛

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-13	公开	公开
2025-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/815申请日:20250312

共 50 条

[1]

一种氮化镓基红光发光二极管外延结构及其制备与应用 [P].

贾传宇 .

中国专利 :CN119403316A ,2025-02-07

[2]

氮化镓基发光二极管及其制备方法 [P].

张东炎 ;

刘文 ;

叶大千 ;

刘晓峰 ;

高文浩 ;

王笃祥 .

中国专利 :CN105826440B ,2016-08-03

[3]

一种氮化镓基发光二极管及其制备方法 [P].

闫发旺 ;

白俊春 ;

汪英杰 .

中国专利 :CN103824915A ,2014-05-28

[4]

一种氮化镓基发光二极管及其制备方法 [P].

王群 ;

郭炳磊 ;

董彬忠 ;

李鹏 ;

王江波 .

中国专利 :CN105870278A ,2016-08-17

[5]

氮化镓基发光二极管及其制备方法 [P].

蓝永凌 ;

张家宏 ;

卓昌正 ;

林兓兓 ;

谢翔麟 ;

谢祥彬 ;

徐志波 .

中国专利 :CN103996766A ,2014-08-20

[6]

一种氮化镓发光二极管及其制备方法 [P].

王志敏 ;

黄丽凤 .

中国专利 :CN108598242A ,2018-09-28

[7]

一种氮化镓基发光二极管及其制备方法 [P].

范亚明 ;

王怀兵 ;

郝国栋 ;

刘建平 ;

黄小辉 ;

吴思 ;

孔俊杰 ;

黄强 ;

王峰 .

中国专利 :CN101937953A ,2011-01-05

[8]

一种氮化镓基发光二极管芯片及其制备方法 [P].

杨瑞霞 ;

张晓洁 ;

王静辉 ;

田汉民 .

中国专利 :CN103346227B ,2013-10-09

[9]

氮化镓基发光二极管及制备方法 [P].

刁克明 .

中国专利 :CN106282917B ,2017-01-04

[10]

一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制备方法 [P].

王群 ;

郭炳磊 ;

董彬忠 ;

李鹏 ;

王江波 .

中国专利 :CN106876529A ,2017-06-20

← 1 2 3 4 5 →