一种抗冲击型沟槽器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510319893.4

申请日：

2025-03-18

公开(公告)号：

CN120152355A

公开(公告)日：

2025-06-13

发明(设计)人：

许剑范捷

申请人：

江苏丽隽功率半导体有限公司

申请人地址：

214101 江苏省无锡市锡山区二泉东路19号集智商务广场12楼

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D62/10 H10D30/01

代理机构：

无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228

代理人：

陈挺娴

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-13	公开	公开
2025-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20250318

共 50 条

[1]

一种沟槽型功率器件及其制作方法 [P].

刘辉 ;

朱阳军 ;

邓小社 ;

吴凯 ;

张广银 ;

杨飞 .

中国专利 :CN119855211A ,2025-04-18

[2]

沟槽及其制作方法 [P].

牛勇军 .

中国专利 :CN119890133A ,2025-04-25

[3]

一种可填充式零泊松比抗冲击结构及其制作方法 [P].

马力 ;

王玮婧 ;

杨航 .

中国专利 :CN118274052A ,2024-07-02

[4]

一种仿生抗冲击传感器封装结构及其制作方法 [P].

曹慧亮 ;

刘俊 ;

石云波 ;

唐军 ;

申冲 ;

赵锐 ;

魏雯强 .

中国专利 :CN112097818B ,2020-12-18

[5]

一种低密度抗冲击金属材料及其制作方法 [P].

李瑞国 .

中国专利 :CN104250714A ,2014-12-31

[6]

抗冲击材料的制作方法、抗冲击件、电池箱和电池包 [P].

伍芝英 ;

徐庆涛 ;

王庆超 ;

孙飞 .

中国专利 :CN115340704A ,2022-11-15

[7]

一种IGBT器件及其制作方法 [P].

刘志博 ;

陈天 ;

肖莉 ;

王黎 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN118588556A ,2024-09-03

[8]

一种仿啄木鸟头部的抗冲击结构及其制作方法 [P].

刘金国 ;

沈昕慧 ;

倪智宇 ;

赵梓淇 .

中国专利 :CN108032567A ,2018-05-15

[9]

一种沟槽型MOS器件及其制造方法 [P].

吴迪 ;

陈其光 ;

王特 .

中国专利 :CN120825990A ,2025-10-21

[10]

一种沟槽型功率器件及其制造方法 [P].

曾大杰 .

中国专利 :CN114122112A ,2022-03-01

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