一种单晶生长炉

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411389158.2

申请日：

2024-09-30

公开(公告)号：

CN119372789B

公开(公告)日：

2025-06-20

发明(设计)人：

戴少涛伍锐马韬蒋国忠胡磊李芳昕

申请人：

江西联创光电超导应用有限公司

申请人地址：

330000 江西省南昌市高新技术开发区京东大道168号联创光电科技园超导厂房

IPC主分类号：

C30B35/00

IPC分类号：

代理机构：

北京睿博行远知识产权代理有限公司 11297

代理人：

白秀梅

法律状态：

授权

国省代码：

河北省保定市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-20	授权	授权
2025-07-22	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更IPC(主分类):C30B 35/00变更事项:专利权人变更前:江西联创光电超导应用有限公司变更后:江西联创超导技术有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:330000 江西省南昌市高新技术开发区京东大道168号联创光电科技园超导厂房变更后:330000 江西省南昌市高新技术开发区京东大道168号联创光电科技园超导厂房
2025-02-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 35/00申请日:20240930
2025-08-12	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更IPC(主分类):C30B 35/00变更事项:专利权人变更前:江西联创超导技术有限公司变更后:江西联创超导技术有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:330000 江西省南昌市高新技术开发区京东大道168号联创光电科技园超导厂房变更后:330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区京东大道168号科技大楼107号一、二楼
2025-01-28	公开	公开

共 50 条

[1]

一种单晶生长炉 [P].

戴少涛 ;

伍锐 ;

马韬 ;

蒋国忠 ;

胡磊 ;

李芳昕 .

中国专利 :CN119372789A ,2025-01-28

[2]

一种单晶生长炉 [P].

李海峰 ;

夏俊超 ;

吴思 ;

朱英浩 ;

周鹏飞 ;

涂保 .

中国专利 :CN211522370U ,2020-09-18

[3]

一种单晶生长炉 [P].

王军 ;

孙曙光 ;

张凤 ;

郭维 ;

陈浩 .

中国专利 :CN105603510A ,2016-05-25

[4]

一种单晶生长炉的反射屏及单晶生长炉 [P].

沈伟民 ;

范进 ;

王刚 ;

陈伟德 .

中国专利 :CN111172585A ,2020-05-19

[5]

单晶生长炉的炉底和单晶生长炉 [P].

翁伟聪 ;

翟虎 ;

李孟轩 ;

孙金梅 .

中国专利 :CN222809588U ,2025-04-29

[6]

一种单晶生长炉及单晶生长方法 [P].

庞昊 ;

谢雨凌 .

中国专利 :CN111560647A ,2020-08-21

[7]

一种复式单晶生长炉及单晶生长方法 [P].

洪冬梅 ;

刘景峰 ;

闫娜娜 .

中国专利 :CN119980480A ,2025-05-13

[8]

一种硅单晶生长炉 [P].

蔡光进 ;

韩喆 ;

李国迪 ;

蒋明霞 .

中国专利 :CN201981292U ,2011-09-21

[9]

一种硅单晶生长炉 [P].

陈志谋 .

中国专利 :CN220284286U ,2024-01-02

[10]

单晶生长炉（SiC） [P].

姚恒 ;

姚泰 .

中国专利 :CN306856378S ,2021-09-28

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