半導体素子の電極の形成方法及び半導体素子の電極[ja]

被引:0
申请号
JP20240565377
申请日
2023-05-09
公开(公告)号
JP2025515681A
公开(公告)日
2025-05-20
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/285
IPC分类号
C23C16/18 C23C16/34
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
電極材料および半導体素子[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2004097849A1 ,2006-07-13
[2]
電気化学素子用集電体及び電極の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2019502240A ,2019-01-24
[3]
半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006009025A1 ,2008-05-01
[4]
半導体装置、及び半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019008860A1 ,2019-07-04
[5]
半導体装置、及び半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6501044B1 ,2019-04-17
[6]
半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
NAGAI MASATSUGU ;
SATO SHINGO .
日本专利 :JP2024124977A ,2024-09-13
[7]
[8]
電極の製造方法及び電極前駆体の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP7737512B1 ,2025-09-10
[9]
[10]
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法[ja] [P]. 
ARAKAWA SHOHEI ;
OSADA YUTA .
日本专利 :JP2024044633A ,2024-04-02