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半導体素子の電極の形成方法及び半導体素子の電極[ja]
被引:0
申请号
:
JP20240565377
申请日
:
2023-05-09
公开(公告)号
:
JP2025515681A
公开(公告)日
:
2025-05-20
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/285
IPC分类号
:
C23C16/18
C23C16/34
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
電極材料および半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2004097849A1
,2006-07-13
[2]
電気化学素子用集電体及び電極の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2019502240A
,2019-01-24
[3]
半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006009025A1
,2008-05-01
[4]
半導体装置、及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019008860A1
,2019-07-04
[5]
半導体装置、及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6501044B1
,2019-04-17
[6]
半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
NAGAI MASATSUGU
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TOSHIBA CORP
TOSHIBA CORP
NAGAI MASATSUGU
;
SATO SHINGO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TOSHIBA CORP
TOSHIBA CORP
SATO SHINGO
.
日本专利
:JP2024124977A
,2024-09-13
[7]
半導体装置、半導体装置の製造方法及び電力変換装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020136810A1
,2021-02-15
[8]
電極の製造方法及び電極前駆体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7737512B1
,2025-09-10
[9]
半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013153777A1
,2015-12-17
[10]
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
ARAKAWA SHOHEI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
KIOXIA CORP
KIOXIA CORP
ARAKAWA SHOHEI
;
OSADA YUTA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
KIOXIA CORP
KIOXIA CORP
OSADA YUTA
.
日本专利
:JP2024044633A
,2024-04-02
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