一种多电平功率半导体模块

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202421917046.5

申请日：

2024-08-08

公开(公告)号：

CN222981429U

公开(公告)日：

2025-06-13

发明(设计)人：

王友强廖光朝

申请人：

重庆云潼科技有限公司

申请人地址：

401133 重庆市江北区鱼嘴镇永和路39号6层608室

IPC主分类号：

H02M7/483

IPC分类号：

H02M7/5387

代理机构：

深圳砾智知识产权代理事务所(普通合伙) 44722

代理人：

翁治林

法律状态：

授权

国省代码：

重庆市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-13	授权	授权

共 50 条

[1]

一种多电平功率电路、多电平实现方法及半导体模块 [P].

王友强 ;

廖光朝 .

中国专利 :CN118984070A ,2024-11-19

[2]

一种功率半导体模块 [P].

杨黎丽 .

中国专利 :CN117577596A ,2024-02-20

[3]

功率半导体模块 [P].

牛利刚 ;

李跃民 .

中国专利 :CN204614785U ,2015-09-02

[4]

功率半导体模块 [P].

张杰夫 ;

宋贵波 ;

邓海明 ;

夏文锦 .

中国专利 :CN211350623U ,2020-08-25

[5]

一种功率半导体模块衬底及功率半导体模块 [P].

安冰翀 .

中国专利 :CN208655625U ,2019-03-26

[6]

一种功率半导体模块衬底及功率半导体模块 [P].

安冰翀 .

中国专利 :CN208570594U ,2019-03-01

[7]

一种功率半导体模块衬底及功率半导体模块 [P].

安冰翀 .

中国专利 :CN208637413U ,2019-03-22

[8]

一种功率半导体模块衬底及功率半导体模块 [P].

张文军 .

中国专利 :CN217523098U ,2022-09-30

[9]

一种功率半导体模块衬底及功率半导体模块 [P].

安冰翀 .

中国专利 :CN208655626U ,2019-03-26

[10]

一种三电平功率半导体模块以及三电平拓扑装置 [P].

申大力 .

中国专利 :CN204578341U ,2015-08-19

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