解离装置、真空解离设备及半导体外延生长设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410543438.8

申请日：

2024-04-30

公开(公告)号：

CN120141971A

公开(公告)日：

2025-06-13

发明(设计)人：

陈爱喜李坊森冀连连张莹莹

申请人：

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

G01N1/34

IPC分类号：

B65H18/10 B65H23/04 G01N1/28

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

赵世发

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01N 1/34申请日:20240430
2025-06-13	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体外延生长设备 [P].

曾强 ;

查恒 ;

卞达开 ;

罗际蔚 .

中国专利 :CN117802577B ,2024-08-06

[2]

半导体外延生长设备 [P].

曾强 ;

查恒 ;

卞达开 ;

罗际蔚 .

中国专利 :CN117802577A ,2024-04-02

[3]

半导体外延生长设备的载片盘及外延生长设备 [P].

王涛 ;

郭军强 ;

王永 ;

夏杨建 .

中国专利 :CN119877093A ,2025-04-25

[4]

一种半导体外延生长设备的母盘及外延生长设备 [P].

王涛 ;

郭军强 ;

王永 ;

夏杨建 .

中国专利 :CN119800496A ,2025-04-11

[5]

半导体外延设备 [P].

王占柱 ;

常依斌 ;

李刚 .

中国专利 :CN301484009S ,2011-03-16

[6]

校准装置，以及具有该校准装置的半导体外延生长设备 [P].

吕立平 .

中国专利 :CN117987915A ,2024-05-07

[7]

半导体外延生长衬底 [P].

彭晖 .

中国专利 :CN102856451A ,2013-01-02

[8]

半导体外延生长衬底 [P].

彭晖 .

中国专利 :CN203085624U ,2013-07-24

[9]

半导体外延生长的前驱体封装容器及半导体外延生长系统 [P].

闫其昂 ;

王国斌 ;

周溯沅 .

中国专利 :CN217266141U ,2022-08-23

[10]

半导体外延结构和半导体外延生长方法 [P].

张海林 ;

陈龙 ;

刘庆波 ;

黎子兰 .

中国专利 :CN120187055A ,2025-06-20

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